Con un encapsulado L-TOGL, los MOSFET XPQR3004PB y XPQ1R004PB soportan mayores corrientes en equipos a bordo del automóvil.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) anuncia el lanzamiento de dos nuevos MOSFET de alimentación N-channel de 40 V para automoción.
Los modelos XPQR3004PB y XPQ1R004PB se presentan en un encapsulado L-TOGL (Large Transistor Outline Gull-wing Leads) y ofrecen elevada corriente de drenaje con baja resistencia.
Ambos MOSFET con encapsulado L-TOGL y una estructura multipin contribuyen a reducir la resistencia alrededor del 30 por ciento en comparación con un encapsulado TO-220SM(W).
Gracias a esta tecnología de encapsulado, las novedades simplifican el diseño de disipación de calor y disminuyen el número de MOSFET requeridos en aplicaciones como relés e inversores para generadores de arranque que demandan grandes corrientes. Además, ayudan a reducir el tamaño del equipo.
Asumiendo que múltiples dispositivos se conectarán en paralelo para aquellas aplicaciones que necesitan operar a corrientes superiores, Toshiba dota de la posibilidad de suministrar soluciones personalizadas, en función del umbral de tensión de puerta.
Esto permite diseños que utilizan grupos de productos con una pequeña variación de las características.
Dado que los equipos de automoción se utilizan con diversas temperaturas ambientales, la fiabilidad de las juntas de soldadura en el montaje superficial es un aspecto crítico.
Los nuevos productos usan cargas de ala de gaviota que permiten minimizar el estrés y maximizar la fiabilidad.
El modelo XPQR3004PB se caracteriza por una corriente de drenaje de 400 A (ID) y una resistencia (RDS(ON)) de 0,23 mΩ (típica) con VGS=10 V, mientras que el XPQ1R004PB ofrece una corriente de drenaje de 200 A (ID) y una resistencia de 0,8 mΩ (típica) con VGS=10 V. Los dos poseen la calificación AEC-Q101.
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