Freescale ha presentado, en el marco del IMS (International Microwave Symposium) 2015, dos nuevos transistores RF ultra-wideband de radiofrecuencia fabricados con Nitruro de Galio (GaN) en nuevos encapsulados avanzados de plástico, los MMRF5015N y MMRF5011N.
El MMRF5015N es un verdadero transistor ultra-wideband CW de GaN, 100 W, 50 V, pensado para su uso en aplicaciones de comunicaciones de alta potencia tanto en el ámbito militar como en el civil.
Presenta una resistencia térmica menor de 0,8°C/W lo que, según afirma Freescale, representa una mejora de más del 30% respecto a los productos similares de la competencia.
Para estos transistores RF ultra-wideband en concreto, ya se pueden conseguir muestras en forma de accesorio de evaluación que demuestra un ancho de banda sin precedentes de 200-2.500 MHz con una ganancia mínima de 12 dB y un 40% de eficiencia sobre la banda entera.
Por su parte, el MMRF5011N es un verdadero transistor ultra-wideband CW de GaN, 10 W, 28 V que demuestra el ancho de banda que va de los 200 a los 2.600 MHz en un circuito de aplicaciones disponibles.
Ha sido concebido para equipos de radio de mano de baja potencia, tanto para su uso civil como militar e, igual al modelo anterior, ya pueden solicitarse muestras (samples).
Con estos dos nuevos transistores RF ultra-wideband de GaN, Freescale anuncia haber realizado un salto hacia adelante cualitativo en desatar todo el potencial del rendimiento del GaN.
Encapsulado en los nuevos transistores RF ultra-wideband
El nuevo empaquetamiento OM-270, que se ofrece en configuraciones two-lead y eight-lead, permite extender la tecnología propietaria OMNI de plástico de la misma Freescale para ofrecer un dispositivo más pequeño todavía, agregándole compatibilidad con GaN. Estos dos transistores de GaN son los primeros en tomar ventaja de dicha tecnología.
Su entrada en producción masiva está planeada para el tercer trimestre de este año, y ambos transistores RF ultra-wideband están incluidos en el Programa de Longevidad de Productos de Freescale.
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