Componentes pequeños, grandes prestaciones
Los transistores de unión bipolar de baja VCEsat suelen estar disponibles con una tensión de colector-emisor máxima (VCEO) de 12 a 100 V y corrientes de colector de hasta varios amperios en encapsulados SOT.
Los transistores de unión bipolar más diminutos del mundo se suministran en los encapsulados DFN0606-3 de Diodes.
Con una huella de 0,36 mm2 y una altura de sólo 0,4 mm, el transistor de unión bipolar de señal pequeña NPN de 45 V BC847BFZ es un 40 por ciento menor que los componentes DFN1006, SOT883 y SOT1123 comparables y, además, proporciona un rendimiento superior al de transistores similares con un formato mucho mayor, ya que su encapsulado sin plomo soporta densidades de potencia superiores con una resistencia de calor de 135 °C/W.
Los modelos de Diodes permiten que las aplicaciones de baja tensión se conmuten con menos de 1 V, haciendo posible que las aplicaciones móviles se “enciendan” totalmente con mínima energía.
Con una corriente de colector de 100 mA y una pérdida de potencia de 925 mW, están especialmente indicados en productos vestibles como relojes inteligentes, gadgets sanitarios y deportivos y otros dispositivos de consumo como teléfonos móviles y tabletas.
El transistor PNP correspondiente es el BC857BZ.
Conclusión sobre el uso de los transistores de unión bipolar
Para muchas aplicaciones de circuito, los BJT con bajas tensiones de saturación no sólo se convierten en un sustituto adecuado de los MOSFET, sino que también aportan un buen número de ventajas, con una resistencia baja, trabajando con una tensión de control de menos de 1 V, ofreciendo una excelente estabilidad de temperatura y eliminando la sensibilidad a la ESD.
Como bloquean la corriente en ambas direcciones, pueden hacer que un segundo MOSFET resulte superfluo. Su pérdida de potencia y la salida de calor resultante son menores, igual que el precio.
Aquí puedes encontrar más información o precios del BC847BFZ.
