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Tecnología de procesos para obleas de transistor

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Gracias a la nueva tecnología de procesos para obleas de transistor Bizen usa el efecto túnel de la mecánica cuántica para permitir que los IC complejos se puedan producir en plantas de “generaciones previas”.

La colaboración entre Search For The Next (SFN), una start-up con sede en Nottingham (Reino Unido), y Semefab pretende “trastocar” la industria de los semiconductores al implementar un cambio fundamental a nivel transistor, cinco décadas después de la era del IC bipolar (antes de la llegada de CMOS), con un nuevo proceso denominado Bizen.

Bizen aplica los principios del efecto túnel de la mecánica cuántica a cualquier tecnología informática o de alimentación. En comparación con CMOS, aporta una reducción del tiempo de carga en un factor de cinco: desde quince semanas a tres.

Además, el nuevo proceso triplica la densidad de puerta y reduce el tamaño de die y el número de capas requeridas. Todo ello, igualando o mejorando las capacidades de velocidad y eficiencia ofrecidas por los actuales dispositivos CMOS.

Mejoras con la nueva tecnología

La tecnología bipolar ha estado limitada tradicionalmente por sus requisitos de resistencias, que tienen el inconveniente de ser demasiado grandes para dispositivos de bajo consumo. Por el contrario, un transistor Bizen usa el efecto túnel de la mecánica cuántica y elimina la necesidad de resistencias, como con los CMOS, y se beneficia de una corriente controlable.

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Esto permite producir circuitos de bajo consumo en los que el transistor es Normally-Out, pero no saturado, y se controla por una conexión de túnel aislada, en lugar de contactos metálicos directos como los empleados en los transistores bipolares tradicionales.

Por lo tanto, la tecnología Bizen permite a los diseñadores crear un circuito más sencillo con muchas menos capas y más densidad de lógica. Por ejemplo, el número de capas necesarias para un dispositivo Bizen se sitúa entre cuatro y ocho para soportar operación de baja y alta tensión, en comparación con las entre diez y diecisiete de CMOS.

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