GaN Systems ha anunciado su nueva Half-Bridge Evaluation Board para transistores GaN que demuestra el rendimiento de los semiconductores de potencia en modo GaN enhancement en circuitos del mundo real.
La GS66508T-EVBHB Evaluation Board totalmente funcional se puede configurar en cualquier topología basada en half-bridge, incluyendo modos de conversión síncrona boost y buck, así como conmutación pulsada para evaluar formas de onda de transistores GaN.
Acompañada por una guía (Quick Start Instruction Guide) y enlaces de vídeo en YouTube, la nueva tarjeta de evaluación se puede instalar y usar en pocos minutos.
Cada kit de desarrollo se presenta con documentación completa, incluyendo part numbers de los componentes, distribución de PCB y gestión térmica, y un diseño de referencia de circuito de drive para ayudar a los ingenieros de sistema en el desarrollo de sus productos.
La tarjeta de evaluación para transistores GaN, que ha sido diseñada para respaldar el trabajo de ingenieros eléctricos, se compone de dos FET GaN GS66508T de 650 V y 30 A, drivers de puerta half-bridge, una fuente de alimentación y un heatsink.
Los transistores de elevada potencia GS66508T se basan en la tecnología Island Technology de GaN Systems y pertenecen a la familia de soluciones de alta densidad con elevada eficiencia de conversión (velocidades de 100 V/nS) y mínima pérdida térmica.
GaN Systems es la única compañía en haber desarrollado y comercializado un portfolio de transistores de potencia GaN con ratios de tensión de 100 y 650 V y de corriente de 7 a 250 A.
La combinación del diseño de die de Island Technology y de la baja inductancia y la elevada eficiencia térmica del encapsulado GaNPX, los GaN FET mejorar hasta 45 veces el rendimiento de conmutación y conducción con respecto a MOSFET e IGBT de silicio tradicionales.
Los transistores GS66508T de 30 A y 50 mΩ se refrigeran por la parte superior y disponen de encapsulado GaNPX. A 1.5 KW, estos dispositivos alcanzan una eficiencia del 98.7 por ciento, un valor que se puede reproducir en laboratorio.
Opciones en la tarjeta de evaluación para transistores GaN
La tarjeta de evaluación ofrece footprints para inductores y condensadores de potencia de salida, por lo que los usuarios pueden configurar la placa en el modo operativo boost o buck deseado. El acceso a la temperatura de unión se consigue mediante pads de termopar y puertos de imagen de cámara térmica. La entrada de potencia oscila entre 9 y 12 VDC, con un máximo absoluto de 15 V.
Los reguladores de tensión on-board crean +5 V para el circuito de lógica y +6.5 V para el driver de puerta.
La Evaluation Board para transistores GaN opera en tres modos: pulse test, buck/standard half-bridge y boost.
