Peregrine Semiconductor, compañía pionera en RF SOI (Silicon On Insulator – Silicio en el Aislante), ha introducido el UltraCMOS PE42524, el primer switch RF SOI en operar a 40 GHz. Este modelo amplía el portfolio del fabricante en frecuencias previamente dominadas por arseniuro de galio (GaAS).
Como una alternativa a soluciones basadas en GaAs, el switch RF SOI PE42524 se caracteriza por alta fiabilidad y elevado rendimiento en linealidad, aislamiento, settling time y protección ESD. Estos atributos resultan ideales en test y medida, microwave-backhaul, radares y dispositivos de comunicaciones militares.
El catálogo de Peregrine incluye productos de 13, 18, 26.5 y 40 GHz con UltraCMOS, una variante patentada de la tecnología SOI en un sustrato de zafiro, que aporta numerosas ventajas en diseño de elevada frecuencia. El zafiro tiene una tangente de pérdida diez veces superior a la de CMOS y tres veces mayor que GaAs.
Además, como un sustrato muy resistente, el zafiro proporciona aislamiento y minimiza las capacitancias parásitas. También elimina los efectos substrate-coupling, muy usuales en sustratos con silicio, ofreciendo a los ingenieros de sistema niveles excepcionales de linealidad y gestión de potencia.
El switch RF SOI PE42524 es un die switch RF single-pole double-throw (SPDT) que soporta el rango de frecuencia de 10 MHz a 40 GHz y aporta elevado aislamiento de puerto a puerto, baja pérdida de inserción y excelente linealidad.
Este switch exhibe aislamiento de 47 dB y pérdida de inserción de 2.2 dB a 30 GHz, así como IIP3 de 50 dBm a 13.5 GHz. También destaca por un tiempo de conmutación de 225 nanosegundos, un settling time de 840 nanosegundos y un ratio de ESD de 2000 V HBM en todos los pines.
Disponibilidad del nuevo switch RF SOI
El PE42524, que es compatible con RoHS, se encuentra disponible como un die flip-chip con inclinación de bomba de 500 micras para eliminar las variaciones de rendimiento a alta frecuencia.
Puede ver en el vídeo formativo las principales características de este nuevo componente.
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