Los nuevos SJ MOSFET de 600 V contribuyen a disminuir la pérdida de conmutación e incrementar la eficiencia.
MagnaChip Semiconductor anuncia el lanzamiento de once transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor Super Junction (SJ MOSFET) de 600 V, cuya producción masiva comenzará el próximo mes de marzo.
Estos SJ MOSFET 2.5G han sido desarrollados usando nuevos diseños basados en la última tecnología de proceso para mejorar la funcionalidad de conmutación más de un 10 por ciento con respecto a las generaciones previas. Como resultado, Magnachip ha logrado disminuir la pérdida de conmutación e incrementar la eficiencia.
En aquellas aplicaciones que requieren resistencia ante la descarga electrostática (ESD), un diodo Zener se integra entre una puerta y una fuente con la misión de impedir el daño de un MOSFET por parte de una sobretensión o ESD externa.
La nueva familia de SJ MOSFET de 600 V soporta una Rds(on) de 190~580 mΩ en encapsulados estándares, como DPAK TO-220F y TO-220SF. Por lo tanto, estos productos 2.5G se pueden usar una amplia variedad de aplicaciones, incluyendo televisores, infraestructura de sistemas de iluminación, cargadores rápidos, adaptadores de PC y fuentes de alimentación industriales. También se puede emplear en topologías de conmutación dura y suave.
“Con tecnologías y productos probados, Magnachip ha satisfecho los últimos requisitos de diseño para los mercados de consumo e industriales”, señala YJ Kim, CEO de Magnachip. “Continuaremos desarrollando soluciones vanguardistas, como los SJ MOSFET de alta tensión para el sector de la automoción, y ampliando el catálogo para aportar nuevas capacidades a cada vez más aplicaciones”.
Un caso práctico
Magnachip, que produce MOSFET de alto rendimiento desde hace más de diez años, ha suministrado los SJ MOSFET de 600 V a uno de los mayores fabricantes de televisores.
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