El nuevo sistema VIP ULTRA permite la realización de pruebas de estrés energético y de corriente continua hasta 4 kV con un elevado paralelismo.
Diseñado para semiconductores de banda ancha como SiC y GaN, es ideal para aplicaciones en automoción, almacenamiento de energía, 5G y centros de datos.
El grupo Microtest, fabricante líder en Europa de sistemas de prueba para chips en paquetes y obleas de silicio, ha presentado su nueva plataforma de prueba VIP ULTRA en la conferencia Applied Power Electronics Conference (APEC) 2025, celebrada del 16 al 20 de marzo en el Georgia World Congress Center en Atlanta, EE. UU.
VIP ULTRA es la evolución del sistema VIP Extended y se posiciona como un ATE (Automatic Test Equipment) de última generación.
Su diseño está orientado a la validación de dispositivos de banda ancha (Wide Band Gap, WBG) fabricados en carburo de silicio (Silicon Carbide, SiC) y nitruro de galio (Gallium Nitride, GaN).
Estos materiales han demostrado un rendimiento superior en electrónica de potencia, donde la gestión eficiente de altas corrientes y voltajes es fundamental.
Alta eficiencia en pruebas de dispositivos de potencia
Los semiconductores fabricados con materiales WBG son cada vez más utilizados en sectores como la automoción y la industria, especialmente en tecnologías para vehículos eléctricos e híbridos, inversores solares, infraestructuras 5G y centros de datos.
Estos últimos deben soportar las crecientes exigencias de cálculo de aplicaciones emergentes de inteligencia artificial (Artificial Intelligence, AI) y aprendizaje automático (Machine Learning, ML).
Ante esta necesidad, Microtest ha desarrollado VIP ULTRA con una flexibilidad operativa mejorada para responder a la creciente demanda de la electrónica de potencia en el sector industrial.
La plataforma permite configuraciones con recursos capaces de alcanzar voltajes de 1,7 kV (VIP ULTRA HV 1.7KV) o 4 kV (VIP ULTRA HV 4KV) y corrientes de hasta 250 A.
Innovación en pruebas de energía y corriente continua
VIP ULTRA es la única plataforma de prueba en el mercado que garantiza un conjunto completo de herramientas para realizar pruebas de corriente continua (Direct Current, DC) y de estrés energético con un paralelismo excepcional.
La configuración de 1,7 kV permite hasta 32 pruebas simultáneas, mientras que la versión de 4 kV soporta 16.
Estas características lo convierten en una solución idónea para la validación de chips inteligentes y de alta potencia a nivel de oblea de silicio.
Mientras, el proceso garantiza el correcto funcionamiento de los dispositivos integrados antes de la etapa de corte (chip dicing), necesaria para su ensamblaje posterior.
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