La necesidad de una sociedad descarbonizada demanda instalaciones e infraestructuras cada vez más eficientes.
Los semiconductores de potencia son dispositivos esenciales en la conversión y el control de energía en equipos como fuentes de alimentación ininterrumpidas (SAI), sistemas de acondicionamiento de potencia (PCS) y cargadores de vehículos eléctricos (VE).
Por este motivo, Fuji Electric anuncia la incorporación de un producto asignado a 1200 V a su serie XS de IGBT discretos que ayuda a reducir la pérdida de potencia durante la conmutación (pérdida de conmutación) y los flujos de electricidad en el circuito (pérdida de estado estable) y, en consecuencia, ahorrar energía y costes.
Este modelo de 1200 V, que se une a la oferta de soluciones de 650 V, aumenta la capacidad y pretende responder a un mayor número de equipos y aplicaciones.
La serie XS ofrece IGBT de séptima generación que llevan a cabo una compensación entre la pérdida de conmutación y de estado estable mediante la optimización de la estructura del chip y reducción del grosor del sustrato de silicio (Si). Las pérdidas de conmutación y de estado estado disminuyen un 6 y un 20 por ciento, respectivamente, con respecto a otros productos convencionales.
Ideal en SAI, PCS y cargadores de VE, el nuevo modelo de 1200 V se suministra en un encapsulado TO-247 y en este enlace, puedes encontrar más especificaciones técnicas, características o esquemas de uso.
Versiones disponibles para suministro
- FGW40XS120C: 40 A y FWD integrado
- FGW75XS120C: 75 A y FWD integrado
- FGW40XS120: 40 A y FWD no integrado
- FGW75XS120: 75 A y FWD no integrado
**, que encontrarás a continuación.](https://www.diarioelectronicohoy.com/imagenes/2024/11/Potenciometros-238x178.jpg "Potenciómetros rotativos PTN09SX")
