Combinando una operación de baja tensión (0,6 V) y velocidades de reloj de hasta 1,86 GHz, las cuatro nuevas SDRAM LPDDR4X ayudan a aumentar el rendimiento de los dispositivos y la vida de su batería.
Alliance Memory anuncia la ampliación de su catálogo de SDRAM de bajo consumo, móviles y de alta velocidad con la incorporación de cuatro nuevos dispositivos LPDDR4X de elevada eficiencia en diversas densidades.
Como una extensión de las SDRAM LPDDR4 de cuarta generación de la compañía, los modelos AS4C128M16MD4V-062BAN (2 Gb), AS4C256M16MD4V-062BAN (4 Gb), AS4C512M16MD4V-053BIN (8 Gb) y AS4C512M32MD4V-053BIN (16 Gb) consiguen reducir el consumo de energía hasta un 50 por ciento en un encapsulado FBGA 200-ball.
Con una operación de 0,6 V, en comparación con el 1,1V de las SDRAM LPDDR4, las novedades ayudan a aumentar la vida de la batería de electrónica portátil en los sectores de consumo, comercial e industrial, incluyendo teléfonos móviles, altavoces inteligentes, sistemas de seguridad y vigilancia y otras soluciones IoT que utilizan inteligencia artificial (IA) y 5G.
Al dotar de mayor eficiencia a los sistemas de audio y vídeo de alta resolución en aplicaciones embebidas, las SDRAM LPDDR4X proporcionan velocidades de reloj de hasta 1,86 GHz para unas ratios de transferencia de 3,7 Gbps.
Para aplicaciones del sector de automóvil, incluyendo sistemas de ayuda al conductor (ADAS), los modelos AS4C128M16MD4V-062BAN y AS4C256M16MD4V-062BAN con la calificación AEC-Q100 operan en el rango de temperatura de -40 a +105 °C y ofrecen ECC on–chip. Por su parte, el AS4C512M16MD4V-053BIN y el AS4C512M32MD4V-053BIN rinden en el rango de temperatura industrial (de -40 a +85 °C).
Las memorias AS4C512M16MD4V-053BIN, AS4C128M16MD4V-062BAN y AS4C256M16MD4V-062BAN se organizan como dispositivos monocanal, cada uno de ellos con ocho bancos de 16 bits, mientras que la AS4C512M32MD4V-053BIN tiene dos canales.
Modelos ya disponibles
En principio, las cuatro novedades ofrecen una operación totalmente simultánea (lectura programable) y cuentan con un sensor de temperatura que controla la velocidad de refresco.
- AS4C128M16MD4V-062BAN (2 GB): Organización de 128M x 16, frecuencia de reloj de 1.600 MHz, velocidad de datos de 3.200 MB y rango de temperatura de -40 a +105 °C.
- AS4C256M16MD4V-062BAN (4 GB): Organización de 256M x 16, frecuencia de reloj de 1.600 MHz, velocidad de datos de 3.200 MB y rango de temperatura de -40 a +105 °C.
- S4C512M16MD4V-053BIN (8 GB): Organización de 512 x 16, frecuencia de reloj de 1.866 MHz, velocidad de datos de 3.733 MB y rango de temperatura de -40 a +85 °C.
- AS4C512M32MD4V-053BIN (16 GB): Organización de 512 x 32, frecuencia de reloj de 1.866 MHz, velocidad de datos de 3.733 MB y rango de temperatura de -40 a +85 °C.
Las SDRAM LPDDR4X de Alliance Memory se convierte en un reemplazo compatible pin a pin para numerosas soluciones similares en aplicaciones de sistema de memoria de alto rendimiento y elevado ancho de banda, eliminando la necesidad de rediseños costosos.
Finalmente, si estás interesado en más datos sobre las nuevas SDRAM LPDDR4X de 2 a 16 Gb y bajo consumo, escríbenos desde aquí.
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