diarioelectronicohoy periódico electrónica profesional 2002

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Maria Camara - 10 enero, 2025

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José Monsalve - 9 enero, 2025

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Asis Rodriguez - 9 enero, 2025

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Maria Camara - 19 diciembre, 2024

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Fuentes de alimentación HWS-A/E de 50 a 150 W

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Irene Oñate - 17 diciembre, 2024

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Guillem Alsina - 13 enero, 2025 0

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Convertidores CC/CC SKMW40 y DKMW40 de 40 W

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2 enero, 2025

Módulos de potencia SiC 2300 V

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19 diciembre, 2024

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18 diciembre, 2024

MOSFET de potencia en encapsulado CCPAK1212 con clip de cobre

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13 diciembre, 2024

OLFER

Componentes

**MOSFETs de alto rendimiento con nueva tecnología de Renesas** *Renesas Electronics lanza nuevos MOSFETs N-Channel de 100 V con una reducción significativa en resistencia de conducción, carga de puerta-drain y tamaño del encapsulado, diseñados para aplicaciones exigentes como control de motores y gestión de baterías.* **Rendimiento optimizado para múltiples aplicaciones** **Renesas Electronics**, proveedor destacado de soluciones avanzadas de semiconductores, ha introducido MOSFETs N-Channel de alta potencia que ofrecen un rendimiento líder en el sector para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Estos dispositivos están diseñados para entornos exigentes como control de motores, sistemas de gestión de baterías, herramientas eléctricas, centros de datos y fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS). Entre los productos finales compatibles se incluyen vehículos eléctricos, bicicletas eléctricas y estaciones de carga. La nueva tecnología de fabricación de obleas **REXFET-1** desarrollada por Renesas permite a los nuevos dispositivos reducir la resistencia de conducción en un **30 %**, minimizando así la pérdida de energía en los diseños. Además, dicha tecnología mejora las características de carga eléctrica, logrando una disminución del **10 %** en la carga de puerta total (**Qg**) y un notable **40 %** en la carga puerta-drain (**Qgd**) durante la fase de "Miller Plateau". Estas mejoras optimizan la eficiencia energética en las aplicaciones más complejas. **Encapsulados compactos y versátiles** Los nuevos MOSFETs, identificados como **RBA300N10EANS** y **RBA300N10EHPF**, están disponibles en encapsulados **TOLL** y **TOLG**, que no solo son compatibles en pines con dispositivos de otros fabricantes, sino que también reducen el tamaño en un **50 %** respecto a los tradicionales encapsulados **TO-263**. Además, el encapsulado TOLL incorpora flancos mojables que facilitan la inspección óptica durante el ensamblaje, garantizando una mayor fiabilidad. Estos avances consolidan a Renesas como líder en el mercado de MOSFETs, combinando soluciones técnicas superiores con una capacidad de producción escalable en múltiples instalaciones de alto volumen, asegurando así el suministro continuo para sus clientes. *Para más información o precios sobre los nuevos **MOSFETs RBA300N10EANS y RBA300N10EHPF**, puedes dejarnos un sencillo **COMENTARIO**. Nosotros se lo haremos llegar al fabricante o distribuidor del producto para que te responda rápidamente.* *Cursivas y etiquetas*: #MOSFET, #NChannel, #Renesas, #REXFET1, #RBA300N10EANS, #RBA300N10EHPF, #TOLL, #TOLG

MOSFETs de alto rendimiento con nueva tecnología

Resistencias wirewound SMD PWR6927/8030/8937/A247/B053

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Controlador táctil MTCH2120

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Soldador inteligente HS-02

Guillem Alsina - 29 noviembre, 2024

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Condensadores

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Empresas

Electrónica OLFER celebra medio siglo de trayectoria

Asis Rodriguez - 3 enero, 2025

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José Monsalve - 28 noviembre, 2024

EBV Elektronik obtiene un premio de Vishay Intertechnology

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