Disponibles en un encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3 mm, los MOSFET de potencia OptiMOS SD con tecnología Source-Down satisfacen las necesidades de los nuevos sistemas de alimentación.
Infineon Technologies lanza una nueva generación de MOSFET de potencia OptiMOS Source-Down (SD) en un encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3 mm y versiones con una tensión de 25 a 100 V. Tiene el objetivo de proporcionar mejoras en densidad de potencia, prestaciones y facilidad de uso a la hora de diseñar sistemas de alimentación.
Este encapsulado establece un nuevo estándar en rendimiento de MOSFET de potencia al ofrecer más eficiencia, densidad y capacidad de gestión térmica y ayudar a reducir la lista de materiales (BOM).
El PQFN cumple los requisitos de aplicaciones como controladores de motor, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) para servidores y sistemas de telecomunicaciones y OR-ing, así como soluciones de gestión de batería.
Ventajas y beneficios del componente electrónico
En comparación con el concepto Drain-Down estándar, la última tecnología de encapsulado Source-Down permite un die de silicio de mayores dimensiones un el mismo encapsulado. Además, es posible reducir las pérdidas provocadas por el propio encapsulado. El resultado es una disminución de la R DS(on) en hasta un 30 por ciento con respecto a encapsulado Drain-Down.
A nivel de sistema, el beneficio se encuentra en una reducción del formato con la posibilidad de pasar de un SuperSO8 de 5 x 6 mm a un PQFN 3,3 x 3,3 mm, con una disminución de espacio de alrededor del 65 por ciento. Esto permite aumentar la densidad de potencia y la eficiencia del sistema final.
En el concepto Source-Down, el calor se disipa directamente a la PCB a través del pad térmico en lugar de un bond wire o el clip de cobre. Como consecuencia, la resistencia térmica (R thJC) cae más de un 20 por ciento, desde 1.8 a 1.4 K/W, simplificando así la gestión térmica.
Infineon ofrece dos versiones diferentes (formato y distribución): SD Standard-Gate y SD Center-Gate. La variante Standard-Gate simplifica la sustitución de los encapsulados Drain-Down, mientras que la Center-Gate permite optimizar y facilitar la paralelización.
Existe más información de los MOSFET OptiMOS SD en este enlace del fabricante o en este otro enlace de su distribuidor oficial Mouser Electronics.
**, que encontrarás a continuación.](https://www.diarioelectronicohoy.com/imagenes/2024/11/Potenciometros-238x178.jpg "Potenciómetros rotativos PTN09SX")
