Sumitomo Electric Industries, anuncia una oblea epitaxial SiC de alta calidad denominada “EpiEra”, que alcanza un área libre de defectos de más de 99% en una sola oblea.
Los dispositivos de potencia son dispositivos semiconductores que se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, como transmisión de potencia, trenes, automóviles y electrodomésticos. Cada vez más se les exige ofrecer una mayor eficiencia a un menor consumo de energía.
Se espera que los dispositivos basados en SiC sean un componente clave para soluciones de eficiencia energética, y la demanda está creciendo rápidamente. Sin embargo, para satisfacer esta demanda y competir con los rendimientos y la fiabilidad de los dispositivos basados en Si, son necesarias mejoras materiales.
Utilizando su tecnología de control multiparamétrica y de zonas (tecnología de crecimiento de SiC) y su experiencia de 30 años en el desarrollo de semiconductores compuestos, Sumitomo Electric ha logrado desarrollar una oblea epitaxial SiC de alta calidad, titulada como EpiEra, que ya está en la etapa de producción en masa.
EpiEra ha logrado un área libre de defectos del 99% líder en la industria (un área sin defecto superficial o dislocación del plano basal (BPD) en la superficie de la oblea), eliminando los defectos superficiales que impactan el rendimiento del dispositivo y las dislocaciones del plano basal en un solo cristal de SiC, lo que impacta en la fiabilidad del dispositivo a largo plazo. Esto mejora su estabilidad en calidad y fiabilidad.
Presentación oficial de la nueva oblea epitaxial SiC de alta calidad EpiEra
Sumitomo Electric mostró este producto en la Conferencia Internacional sobre Carburo de Silicio y Materiales Relacionados (ICSCRM) 2017 celebrada en Washington D.C., EE.UU., del 17 al 22 de septiembre de 2017.
La compañía continúa contribuyendo a la industria de electrónica de potencia basada en SiC mediante el desarrollo de dispositivos SiC con una eficiencia aún mayor y un menor consumo de energía.
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