Bajo consumo de energía
En términos de consumo de energía, la RAM IoT demanda unas cuatro veces menos de pJ/bit (picojulios por bit) que la DRAM convencional (Figura 4).
La latencia corta de la RAM IoT respalda tiempos de encendido rápidos y un “despertar” todavía más rápido desde los modos de bajo consumo (low–power) y el modo de espera (stand–by).
Además, la RAM IoT ofrece una retención de datos completa con un consumo de energía en espera ultrabajo – típico de 0,1 a 0,3 µA/Mbit, dependiendo de la densidad – así como un modo de desconexión profunda con menos de 8 µA para todas las densidades de interfaz periférica octal (OPI).
RAM IoT para frame buffering con MCU
Las memorias RAM IoT de AP Memory se fundamentan en la tecnología PSRAM y ya trabajan con muchos MCU, SoC y FPGA que son ampliamente utilizados en dispositivos IoT y embebidos.
Para una pulsera inteligente, el rendimiento de datos requerido se estima que es de unos 5 MB/s (71.392 × 3 bytes × 30 fps). Teniendo en cuenta la latencia adicional para el bus de SoC y la elección de la frecuencia del bus de memoria de menos de 100 MHz para muchos SoC en esta categoría, la IoT RAM QSPI SDR resulta suficiente para alcanzar la velocidad de datos demandada.
Por el otro lado, con un simple reloj inteligente, el rendimiento de datos necesario de alrededor de 25 MB/s (135.424 × 3 bytes × 60 fps) se sitúa muy por encima e incluso puede ser más alto en función del modelo actual. En este caso, una IoT RAM OPI o HPI logra la mejor velocidad de datos requerida. Para dispositivos wearables de alto volumen, se recomienda el uso de las opciones de encapsulado WLCSP.
También se encuentra disponible una RAM IoT con un amplio rango de anchos de banda para hogares inteligentes y entornos industriales. Por ejemplo, una QSPI SDR-SOP8 IoT RAM de 16 MB “básica” está especialmente indicada para un display de termostato que demanda unos 10 MB/s. Los requisitos elevados de un display HD 720p, en el otro lado, se pueden superar con una OPI o HPI IoT RAM de 256 MB en un encapsulado BGA24.
RAM IoT: el punto de inflexión para muchas aplicaciones basadas en MCU
Estas características han hecho de la RAM IoT la memoria preferida para dispositivos ponibles en los últimos años. Muchos de los nuevos MCU, SoC inalámbricos y FPGA de los principales fabricantes del mercado encuentran en esta memoria la elección ideal para todas las aplicaciones IoT, edge AI e industriales.
Utilizando diseños de referencia de los socios de SoC y Rutronik, los fabricantes pueden garantizar un uso eficaz de sus recursos de desarrollo y un menor tiempo de llegada al mercado de sus proyectos. Por ejemplo, el RDK2 de Rutronik se basa en el PSoC 62 de Infineon y, en combinación con una PSRAM (QSPI de 64 Mbits) externa, dota de una plataforma de hardware moderna y fácil de usar a la hora de construir numerosas aplicaciones, en particular dispositivos wearables y sensores.
Resumen sobre la tecnología de memoria
Baja cantidad de pines, mínimo consumo de energía y amplia elección de encapsulado, así como competitividad y simplicidad en el diseño e integración de las RAM IoT, marcan la diferencia real en comparación con los enfoques SDRAM convencionales y heredados.
