Con alta velocidad de conmutación y baja resistencia, el MOSFET XSemi ofrece un rendimiento eficiente en aplicaciones industriales y comerciales. Compatible con una variedad de encapsulados SMD, facilita la adaptabilidad en diferentes diseños electrónicos.
Los transistores MOSFET XSemi de YAGEO se incorporan al portfolio de Rutronik para aplicaciones analógicas y digitales, destacando por su baja resistencia de conducción y elevada velocidad de conmutación.
Diseñados para ser utilizados en circuitos de alimentación y conmutación, estos dispositivos son compatibles con una amplia gama de encapsulados de montaje superficial, como TO-22, TO-25, TO-26 y SOT-23.
Características técnicas avanzadas
El MOSFET XSemi está disponible en versiones de canal N y canal P, con opciones de voltaje de drenaje-fuente que abarcan desde 20 V hasta 700 V.
Además, los modelos duales N y asimétricos N alcanzan hasta 100 V y 30 V, respectivamente. La capacidad de corriente de fuga varía según el modelo, llegando hasta 300 A en ciertas versiones.
El diseño optimizado del dispositivo permite una baja carga de puerta, lo que contribuye a una mayor eficiencia en aplicaciones de conmutación rápida.
Y, por otro lado, su construcción sin halógenos y su conformidad con la normativa RoHS garantizan un impacto ambiental reducido, haciéndolos adecuados para proyectos con altos estándares ecológicos.
Aplicaciones y fiabilidad en la industria
El MOSFET XSemi está orientado a aplicaciones de baja tensión, fuentes de alimentación conmutadas y sistemas de telecomunicaciones. Su fiabilidad ha sido probada en entornos industriales y comerciales, donde se requiere una conmutación rápida y una alta eficiencia energética.
Los modelos complementarios de canal N y canal P con tensiones de 16 V, 30 V y 100 V permiten su integración en circuitos de control y conmutación en equipos de electrónica de consumo.
Con una temperatura máxima de operación de +150 °C, estos dispositivos garantizan un rendimiento estable bajo condiciones exigentes.
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