Con un encapsulado DFN0606, los MOSFET ultradelgados con mínima RDS(on) de la familia PMH se pueden integrar fácilmente en wearables y aplicaciones de elevado volumen.
Nexperia lanza una gama de MOSFET en encapsulado DFN0606 que se dirige a aplicaciones portátiles, incluyendo dispositivos wearables. Los nuevos modelos ofrecen una RDS(on) muy baja para su tamaño y emplean el paso comúnmente utilizado de 0,35 mm para simplificar los procesos de ensamblaje de PCB.
Con una huella de 0,62 x 0,62 mm, la familia PMH de MOSFET ultradelgados DFN0606 dota de un ahorro de espacio del 36 por ciento en comparación con los modelos DFN1006 de la anterior generación.
Gracias a su avanzada tecnología de proceso, los nuevos MOSFET tienen “la mínima RDS(on) del mercado”, con una reducción del 60 por ciento con respecto a los dispositivos de la competencia.
También se caracterizan por un excelente rendimiento ante la descarga electrostática (ESD) y bajo umbral de tensión VGS desde 0,7 V, un parámetro vital para aquellas aplicaciones con una baja tensión de control.
Sandy Wang, jefe de producto de Nexperia, comenta que “la última generación de weareables continúa poniendo al límite la tecnología de consumo. La evolución de los teléfonos y relojes inteligentes, las pulseras de fitness y otras innovaciones requiere MOSFET ultradelgados y miniaturizados con mejoras en rendimiento y eficiente para efectuar un mayor número de funciones. Nexperia tiene la capacidad de producción masiva para estos dispositivos y puede adecuarse a la demanda de los diferentes sectores”.
**, que encontrarás a continuación.](https://www.diarioelectronicohoy.com/imagenes/2024/11/Potenciometros-238x178.jpg "Potenciómetros rotativos PTN09SX")
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