En encapsulado TOLL, los MOSFET DMTH8001STLWQ de 80 V y DMTH10H1M7STLWQ y DMTH10H2M5STLWQ de 100 V ofrecen mayor eficiencia térmica en menos espacio.
Diodes introduce una familia de MOSFET de automoción en el encapsulado TOLL (PowerDI1012-8) que ahorra espacio y aporta eficiencia térmica.
Con capacidad de operar a 175 °C, los modelos DMTH8001STLWQ de 80 V y DMTH10H1M7STLWQ y DMTH10H2M5STLWQ de 100 V ocupan un 20 por ciento menos de área de PCB que un encapsulado TO263.
Las novedades también se distinguen por un perfil fuera de tarjeta de 2,4 mm, lo que resulta ideal en aplicaciones de alta fiabilidad, como recuperación de energía, alternadores de arranque integrados y convertidores DC-DC en vehículos eléctricos (VE).
TOLL usa un clip bonding para lograr una resistencia de encapsulado baja y reducir la inductancia parásita, haciendo que los MOSFET DMTH8001STLWQ, DMTH10H1M7STLWQ y DMTH10H2M5STLWQ alcancen una resistencias típicas de 1,3, 1,4 y 1,68 mΩ, respectivamente, con un control de puerta de 10 V. Además, la mínima inductancia de encapsulado parásita aporta mejoras en rendimiento EMI de circuito.
Con un área de contacto de soldadura un 50 por ciento mayor a la de TO263, el encapsulado TOLL posibilita una impedancia térmica de unión de 0,65 °C/W, pudiendo gestionar corrientes de hasta 270 A. Sus guías estriadas y trapezoidales chapadas en estaño ayudan a facilitar los procesos de inspección óptica automática (AOI).
Los nuevos MOSFET cuentan con la calificación AEC-Q101, poseen la capacidad PPAP y están fabricados en instalaciones con el certificado IATF 16949.
Existe más información de los MOSFET TOLL en este enlace del fabricante o en estos otros enlaces de sus distribuidores internacionales Digi-Key electronics (aquí) o Mouser Electronics (en esta página).
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