Nexperia, la antigua división de Productos Estándares de NXP, ha anunciado la disponibilidad de sus MOSFET de potencia en encapsulado LFPAK33 de grado automoción con mejoras térmicas y un tamaño un 80 por ciento menor que otros dispositivos estándares.
Los modelos LFPAK33 se caracterizan por una menor resistencia como respuesta a la demanda de la industria de reducir el tamaño de los módulos a bordo de vehículos y, al mismo tiempo, aumentar la eficiencia y la fiabilidad.
Los nuevos MOSFET permiten ofrecer la infraestructura de alimentación que necesitan los subsistemas de próxima generación, como radares y tecnología de ayuda al conductor (ADAS).
El encapsulado Nexperia LFPAK33 usa un diseño de clip de cobre que disminuye la resistencia y la inductancia y, a su vez, minimiza la resistencia RDS(on) y las pérdidas de los MOSFET.
Estos modelos de 10.9 mm² también destacan por rango de temperatura de hasta +175 °C, capacidad de gestión de hasta 70 A y versiones de 30 a 100 V y RDS(on) de 6.3 mΩ.
“Ante la incorporación de un gran número de subsistemas a bordo de los vehículos, crece la necesidad de sistemas de alimentación compactos y rugerizados”, afirma Richard Ogden, International Product Marketing Engineer de Nexperia. “Esta ampliación del catálogo LFPAK ofrece a los diseñadores mayor capacidad de elección”.
Usos para los MOSFET de potencia en encapsulado LFPAK33
Las principales aplicaciones incluyen módulos conectados, sistemas de gestión de motor de próxima generación, chasis y tecnología de seguridad, iluminación mediante LED, sustitución de relés, C2X, radares, sistemas de info-entretenimiento y navegación y ADAS.