Microchip Technology anuncia la homologación de su MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor) resistente a la radiación M6 MRH25N12U3 de 250 V y 0,21 Ωde Rds(on) para aplicaciones aeroespaciales comerciales y espaciales de defensa.
Así, proporciona el elemento de conmutación primaria en circuitos de conversión de potencia como convertidores en el punto de carga, convertidores CC/CC, accionamientos y controles de motores, y conmutación en general.
Las fuentes de alimentación en aplicaciones espaciales funcionan en entornos que exigen una tecnología de radiación avanzada con el fin de resistir las interacciones extremas con partículas y los fenómenos solares y electromagnéticos. Estos fenómenos degradan los sistemas espaciales y afectan a las operaciones.
Para solucionar este problema, el M6 MRH25N12U3 resiste los entornos adversos del espacio, aumenta la fiabilidad de la circuitería de potencia y cumple todos los requisitos de MIL-PRF19500/746 con un rendimiento mejorado.
Microchip finaliza las pruebas de revisión y homologación de la DLA (Defense Logistics Agency) para la incorporación del dispositivo a la cadena de suministro militar de EE.UU. (la certificación JANSR2N7593U3 está prevista para junio de 2021).
Aplicaciones para el nuevo componente electrónico
El MOSFET M6 MRH25N12U3 está diseñado para futuros diseños de sistemas de satélites, así como para servir de alternativa en los sistemas existentes.
El dispositivo puede resistir una dosis total de ionización de hasta 100 y 300 krad, así como los efectos de un solo fenómeno con una transferencia de energía lineal de hasta 87 MeV/mg/cm2.
Además, garantiza al 100% la resistencia del lote de obleas frente a la radiación en pruebas de validación.
El M6 MRH25N12U3 forma parte del amplio catálogo de tecnología aeroespacial, defensa y espacio de Microchip, que incluye FPGA, microprocesadores, circuitos integrados lineales, dispositivos de potencia, discretos y módulos de potencia que integran soluciones de potencia basadas en SiC y Si.
Disponibilidad de los MOSFETs
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