Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, anuncia que su representada Infineon Technologies se ha convertido en la primera compañía en fabricar MOSFET de potencia para automoción con tecnología thin-wafer en obleas delgadas de 300 mm. La primera familia de estos nuevos productos es la OptiMOS 5 40V para aplicaciones de reducción de CO2. Estos modelos se fabrican en sus instalaciones de Villach (Austria).
La tecnología thin-wafer de 300 mm de Infineon es la base de la mejoras de rendimiento en estaas familias de MOSFET de potencia para automoción de próxima generación.
Esta técnica minimiza las pérdidas de potencia y permite la creación de diseños compactos para aumentar la eficiencia y la densidad de sistema.
Con un grosor de oblea desde 60 µm (0.06 mm), los MOSFET de potencia para automoción son semiconductores OptiMOS 5 con tecnología thin-wafer de 300 mm se encuentran entre los más delgados del mercado.
El diámetro, que es un 50 por ciento mayor al de obleas de 200 mm, facilita la producción de un número superior de chips en cada oblea de 300 mm.
MOSFET de potencia para automoción OptiMOS 5 40V
Infineon estrena su portfolio de productos OptiMOS 5 thin-wafer con versiones de 40 V en un encapsulado S308 (TSDSON-8) con un formato de 3.3 x 3.3 mm y resistencia de 2.8 a 8.4 mΩ.
En comparación con la anterior generación OptiMOS, las variantes de los nuevos MOSFET de potencia para automoción OptiMOS 5 40V reducen un 40 por ciento la resistencia (RDSon) y minimizan las pérdidas. También ofrecen una Figura de Mérito RDS(on)xQ g un 35 por ciento menor para optimizar el comportamiento de conmutación.
Como consecuencia, OptiMOS 5 40V desarrolla elevada densidad de potencia y eficiencia para un amplio rango de aplicaciones de drive BLDC y H-bridge, como control de puerta, techo solar, bombas de gasolina, gestión de válvulas y convertidores DC/DC de conmutación rápida.
