Los nuevos MOSFET de potencia JANSF2N8587U3 resistentes a radiación admiten una dosis total de ionización de hasta 300 Krad y cumplen con la exigente norma MIL-PRF-19500/746 para aplicaciones aeroespaciales, de defensa y vuelos espaciales.
Microchip Technology ha anunciado la finalización de su familia de MOSFET de potencia resistentes a la radiación conforme a las especificaciones de la norma MIL-PRF-19500/746, destacando el modelo JANSF2N8587U3.
Este nuevo dispositivo de canal N y 100 V alcanza una dosis total de ionización (TID) de hasta 300 Krad (Si) bajo certificación JANSF, la cual representa el estándar más estricto en términos de evaluación y aceptación de semiconductores discretos para entornos extremos.
En este contexto, los MOSFET de potencia JANS de Microchip Technology ofrecen dispositivos con rangos de tensión que abarcan entre 100 V y 250 V, garantizando resistencia a radiación de hasta 100 Krad (Si).
Sin embargo, con la introducción del JANSF2N8587U3, la familia se amplía para incorporar niveles más altos de resistencia garantizada (Radiation Hardness Assurance, RHA), comenzando por dispositivos capaces de soportar 300 Krad (Si) de TID.
Encapsulados versátiles para diferentes aplicaciones espaciales
El MOSFET de potencia JANS RH está disponible en diversos tipos de encapsulados, incluyendo versiones de plástico que utilizan circuitos integrados JANSR conforme a la normativa MIL, ofreciendo así soluciones económicas ideales para aplicaciones espaciales de nueva generación y para satélites en órbita baja terrestre (LEO).
Adicionalmente, los encapsulados cerámicos están sellados herméticamente, proporcionando una protección superior frente a entornos SEE (Single-Event Environments).
Dicho dispositivo ha sido diseñado específicamente para cumplir de manera estricta la norma MIL-PRF-19500/746, presentando un rendimiento mejorado que lo convierte en una opción excelente para aquellas aplicaciones que requieren componentes de alta fiabilidad en entornos adversos, aumentando la robustez de la circuitería de potencia en sistemas críticos.
Alta eficiencia en conversión y control de potencia
Los MOSFET de potencia JANSF y JANSR RH de Microchip Technology actúan como elementos de conmutación primaria en circuitos de conversión de potencia, incluyendo convertidores en el punto de carga, convertidores CC/CC, accionamientos de motores y sistemas de control, así como en aplicaciones generales de conmutación.
Su baja RDS(ON) y su reducida carga total de puerta contribuyen a una mejora notable en la eficiencia energética, reduciendo la generación de calor y optimizando el rendimiento de la conmutación en comparación con dispositivos similares existentes en el mercado.
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