Infineon Technologies ha ampliado su portfolio Medium Voltage con nuevos OptiMOS FD MOSFET de potencia de 200 y 250 V.
Esta última generación de Power MOSFET ha sido optimizada para comunicación body diode hard con la intención de ofrecer un diseño robusto y reducir las pérdidas de recuperación inversa, lo que provoca una mejora en la fiabilidad de sistema en aplicaciones hard switching, como sistemas de telecomunicaciones, fuentes de alimentación industriales, amplificadores de audio Clase D, control de motor (para sistemas de 48 a 110 V) e inversores DC/AC.
Básicamente, en sitios donde se precise características de precisión y optimización de espacio y refrigeración de calidad, algo de lo que la marca infineon tiene sobrada experiencia.
La familia de MOSFET de potencia de 200 y 250 V OptiMOS FD proporciona carga de recuperación inversa (Q rr) para responder a los requerimientos de los estándares de mayores prestaciones. Los nuevos modelos de 200 y 250 V consiguen una reducción de Q rr del 40 por ciento en comparación con modelos convencionales de la misma tensión. Así se elimina la necesidad de un circuito snubber.
Usos de los nuevos MOSFET de potencia de 200 y 250 V
Los nuevos OptiMOS FD con un diseño más robusto se pueden emplear en las condiciones más demandadas (dv/dt, di/dt) y densidades de corriente similares a las tecnologías de 200 y 250 V.
Las características de los MOSFET de potencia de 200 y 250 V se completan con disminución de la resistencia RDS(on) y de la Figura de Mérito (FOM) para mejorar la eficiencia y la densidad eléctrica.
La gama OptiMOS RF de 200 V se compone de unidades D²PAK con RDS(on) de 11.7 mΩ en encapsulado TO-220 y RDS(on) de 12 mΩ, mientras que la familia OptiMOS consta de dispositivos con RSD(on) de 22 mΩ en encapsulado TO-220.
