Vishay Intertechnology acaba de ampliar su oferta de MOSFET de canal p TrenchFET de potencia Gen III con un nuevo dispositivo que ofrece la resistencia más baja nunca vista para un MOSFET de canal p.
Diseñado para aumentar la eficiencia en los dispositivos informáticos móviles, el Si7157DP Siliconix de Vishay de -20 V ofrece unos rangos de resistencia de 0,0016 Ω y 0,0020 Ω a -10 V y -4,5 V respectivamente.
El MOSFET de canal P Si7157DP está optimizado para switches de carga y batería en aplicaciones de administración de energía para ordenadores portátiles.
Los diseñadores de hoy se encuentran bajo presión para diseñar estos dispositivos lo más delgados y ligeros posibles, lo que significa la reducción de los tamaños de las baterías y, en consecuencia, sus tiempos de ejecución.
Al mismo tiempo, las características tales como los gráficos y el WiFi aumentan el uso de la batería, haciendo de la eficiencia energética un objetivo primordial y al que ayuda este tipo de MOSFET de canal P.
