Fabricados con un proceso de última generación, los MOSFET de canal-N para potencia a 80 V de la serie U-MOS X-H ayudan a mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation incorpora nuevos MOSFET de potencia de canal-N de 80 V a su serie U-MOS X-H que están fabricados con un proceso de última generación.
Estos MOSFET resultan idóneos en las fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de los equipos industriales utilizados en centros de datos y estaciones base de comunicación.
Las novedades incluyen los modelos TPH2R408QM en SOP Advance, un encapsulado de montaje superficial de 5 × 6 mm, y TPN19008QM en un encapsulado TSON Advance de 3,3 × 3,3 mm.
La resistencia-On drain-source de los nuevos MOSFET de canal-N U-MOS X-H de 80 V es alrededor del 40 por ciento menor que la de las unidades de la actual generación. La compensación entre la resistencia-On drain-source y las características de carga de puerta también se ha mejorado al optimizar la estructura de dispositivo. Como resultado, las novedades proporcionan “la menor disipación de potencia de la industria”.
Por otro lado, el modelo TPH2R40QM tiene una RDS(ON) de hasta 2,43 mΩ (@ VGS = 10 V), en tanto que el TPN19008QM posee una RDS(ON) de hasta 19 mΩ (@ VGS = 10 V). La ratio de temperatura de canal (Tch) se sitúa en 175 °C.
Como dato importante, el fabricante Toshiba tiene previsto seguir ampliando su línea de soluciones que reducen la disipación de potencia para minimizar el consumo de energía de los equipos.
