El MOSFET αSiC de 1200 V para industria y automoción AOK065V120X2 aporta mejoras en rango de temperatura y conmutación para aplicaciones de alta eficiencia.
Alpha and Omega Semiconductor anuncia el lanzamiento de su nueva plataforma de tecnología MOSFET αSiC de carburo de silicio (SiC) de 1200 V que se dirige específicamente a entornos industriales y el sector del automóvil, donde aportará mejoras en eficiencia y densidad de potencia con respecto a las actuales soluciones de silicio.
Optimizada para minimizar las pérdidas de AC y DC mediante un diseño de baja resistencia de puerta (RG) combinado con su baja resistencia (RDS,ON), la tecnología αSiC puede lograr la máxima eficiencia en un amplio rango de frecuencias de conmutación y temperaturas. Esta mayor eficiencia se traduce en una reducción significativa de costes y materiales para múltiples aplicaciones industriales, incluyendo inversores solares, SAI e inversores y sistemas de recarga de vehículos eléctricos (VE).
Empezando la producción de MOSFET
El primer modelo esta nueva plataforma es el AOK065V120X2, un MOSFET SiC de 65 mΩ y 1200 V en un encapsulado TO-247-3L que está diseñado para trabajar con un control de puerta de -5/+15 V, garantizando así la compatibilidad con los actuales controladores de puerta IGBT y SiC de alta tensión. La operación con un control unipolar también es posible con un diseño de sistema opcional.
La plataforma αSiC también se caracteriza por una capacidad UIS robusta, protección ante cortocircuito y una temperatura operativa de hasta +175 °C.
“Tras años de trabajo de desarrollo, estamos satisfechos de incorporar esta tecnología de MOSFET SiC de próxima generación a nuestro catálogo de MOSFET e IGBT Si. Los dispositivos αSiC ofrecen la solución óptima para adecuarse a las necesidades de cada cliente”, afirma David Sheridan, senior director of Wide Bandgap products de AOS.
La oferta de MOSFET αSiC se ampliará a lo largo del año para incluir más opciones de RDS,ON y encapsulado con la calificación AEC-Q101.
