Con ocasión del SPS IPC Drives en Nuremberg del 24 al 26 de noviembre, ROHM Semiconductor presentará sus últimos módulos de potencia y productos SiC para la conmutación de alta fiabilidad y de alta velocidad, así como control MOSFET SiC.
Todos los nuevos dispositivos no sólo ofrecen características de gestión de energía optimizada, sino también innovadoras y de diseño de encapsulado compacto que se adaptan a las necesidades de una amplia gama de aplicaciones, por ejemplo, grandes fuentes de alimentación, inversores, equipos industriales, servidores y otros.
Diferentes módulos de potencia y productos SiC
El nuevo BSM300D12P2E001 es especialmente adecuado para aplicaciones de alta potencia, tales como fuentes de alimentación de gran capacidad en equipos industriales debido a sus 300 A de corriente nominal. Además, un 77% de pérdida de conmutación menor sobre los módulos IGBT convencionales, permiten un funcionamiento de alta frecuencia, lo que contribuye a las contramedidas de refrigeración más pequeñas y componentes periféricos. ROHM incluye un nuevo diseño de encapsulado que es capaz de minimizar el impacto de los picos de tensión durante la conmutación.
La nueva familia de IPMs (módulos de potencia inteligente) para control de motores eficientes y de aplicaciones de inversor incluye módulos de potencia y productos SiC basados en IGBT optimizados para el funcionamiento a baja o alta velocidad, así como IPMs basados en MOSFET que incorporan la tecnología patentada Low Ron SuperJunction MOSFET (PrestoMOS) del fabricante, dentro de un encapsulado compacto HSDIP25. Los nuevos dispositivos reducen significativamente la pérdida de potencia en cargas ligeras y pesadas, a la vez que incrementan la capacidad de potencia. La línea completa contiene versiones de 10A, 15A y 20A de 600V IPMs-IGBT, las versiones de 30A están en desarrollo.
Finalmente, los módulos de potencia y productos SiC BD7682FJ-LB permiten una fácil implementación de MOSFET-SiCs a un convertidor AC/DC superando el reto de configuraciones discretas. Proporciona una solución altamente integrada y crea nuevos estándares para el ahorro de energía y la miniaturización, a la vez que apoya la adopción de semiconductores de potencia SiC. En comparación con MOSFETs de silicio utilizados en los convertidores AC/DC convencionales, los MOSFETs SiC permiten a los convertidores AC/DC con una mejora de la eficiencia de potencia de hasta 6%.
Por otra parte, no se requieren componentes utilizados para la disipación de calor (fuentes de alimentación de la case 5 0W), lo que lleva a una mayor compacidad. También incluye múltiples funciones de protección que permiten el soporte de altas tensiones hasta 690 Vac, haciéndolos ideales para equipos industriales en general, mientras que mejora la fiabilidad.
