El módulo de memoria flash NAND de alta densidad para aplicaciones espaciales UT81NDQ512G8T de 4 Tb ayuda a los diseñadores a incrementar significativamente el procesamiento de señal de sensor a digital.
Cobham Advanced Electronic Solutions (CAES), fabricante de soluciones electrónicas de misión crítica, anuncia un dispositivo de memoria flash NAND de alta densidad para aplicaciones espaciales.
Este TLC NAND Flash Memory Module de 4 TB proporciona una densidad treinta y dos veces superior a la de la alternativa con un rendimiento más cercano en el mismo encapsulado de microcircuito encapsulado en plástico (PEM).
Con acceso a una gran capacidad de almacenamiento, los diseñadores pueden incrementar significativamente el procesamiento de señal de sensor a digital en aplicaciones como discos y grabadores en estado sólido, sistemas informáticos reconfigurables, imagen y buffering de datos de comunicaciones.
“Nuestro 4Tb NAND Flash Memory Module aporta mejoras en densidad de memoria sin incrementar el consumo ni el tamaño de encapsulado”, afirma Kevin Jackson, Vicepresidente de Sistemas Espaciales de Cobham Advanced Electronic Solutions. “Esto aumenta el rendimiento y la capacidad de los instrumentos de naves espaciales al mejorar la fidelidad y la resolución de señales de equipos de imagen de satélite”.
Características destacables en las memorias
El nuevo módulo rinde a 667 MegaTransferencias por segundo (MT/s) y es compatible con las especificaciones Open NAND Flash Interface (ONFI) 4.0 y JEDEC NAND Flash Interoperability (JESD230C).
Aunque los diseñadores aeroespaciales deben proteger la memoria flash NAND de grado comercial para estimar la tolerancia a la radiación y la vida útil operativa, los nuevos módulos flash de CAES se someten a test previos intensivos.
Esto incluye la caracterización Total Ionizing Dose (TID) y Single-Event Effects (SEE) en una base de lote a lote de oblea para poder garantizar una resistencia a la radiación óptima. Para maximizar el control de calidad en toda su cadena de suministro, el fabricante también aplica un análisis a modo de fallo Parts, Materials and Process (PMaP) para monitorizar las variaciones potenciales en el proceso de producción de semiconductores.
Además, el módulo flash NAND de 4 TB UT81NDQ512G8T soporta velocidades de E/S NV-DDR3 (667 MT/s), E/S NV-DDR2 (533 MT/s) y E/S asíncrona (50 MT/s) y una resistencia TLC de tres mil ciclos de programa/borrado. Opera con una entrada de +2,7 a +3,6 V y una salida de +1,14 a +1,26 o de +1,7 a +1,95 V y en el rango de temperatura de -40 a +85 °C.
