El nuevo módulo de grabado ECR por microondas ofrece un nivel atómico sin daños con numerosas funciones opcionales en procesos de producción de semiconductores de próxima generación.
Hitachi High-Technologies Corporation ha anunciado el desarrollo del Enhanced Microwave ECR Etching Module, un nuevo producto diseñado para procesos de producción de semiconductores de próxima generación.
El módulo de grabado ECR se monta en el Conductor Etch System de la serie 9000, una de las plataformas de grabado de conductores de Hitachi High-Tech, y soporta la producción masiva de semiconductores desde 7 nm.
Los semiconductores evolucionan para proporcionar mayor rendimiento mediante cambios en las estructuras de transistor, como FinFET, la comercialización de nuevas técnicas de memoria como 3D-NAND y la creciente complejidad de grabados (multipatrones).
Este proceso va acompañado de un aumento del número de procesos de aplicación de grabado. En este entorno, existe necesidad de un sistema capaz de grabar los niveles atómicos y moleculares para respaldar la llegada de dispositivos de 7 nm.
El Hitachi High-Tech Conductor Etch System genera un plasma estable en el régimen de baja presión y vacío y usa el método ECR por microondas para maximizar el rendimiento y minimizar el deterioro.
El nuevo módulo es una cámara de grabado que se basa en una novedosa estructura y ayuda a mejorar la capacidad y optimiza la posición de la bobina de campo magnético. La consecuencia es una mejora en la precisión y en el control de la lámina a grabar a niveles atómico y molecular (entre diversas láminas).
Funciones opcionales en el módulo de grabado ECR por microondas
Entre las funciones opcionales del módulo se encuentran: control de pulso (gestión de generación de plasma y reemplazo de gas en la cámara), control de distribución de plasma (mejor configuración de la bobina magnética para optimizar la propagación de microondas) y control de multi-temperatura (monitorización de las diversas temperaturas en la oblea).
