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Módulo de alimentación con funcionalidad de IGBT y diodo

1983
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RS Components (RS) y Allied Electronics (Allied), marcas comerciales de Electrocomponents, el mayor distribuidor de productos y servicios de electrónica y mantenimiento a nivel mundial, informa que su representada Infineon Technologies ha lanzado un módulo de alimentación con funcionalidad de IGBT y diodo freewheeling de 6.5 kV en un solo encapsulado.

El nuevo chip RCDC (Reverse Conducting IGBT with Diode Control) resulta ideal en trenes de alta velocidad y locomotoras de elevado rendimiento, así como en futuros sistemas de transmisión de potencia eléctrica HVDC y drives de media tensión en petroquímica y minería.

En comparación con módulos anteriores con las mismas dimensiones, la tecnología RCDC incorporada en el nuevo módulo de alimentación con funcionalidad de IGBT y diodo logra un 33 por ciento de incremento en densidad de corriente y aumenta el rendimiento térmico. Por lo tanto, soporta ciclos de vida superiores y aporta mejoras en fiabilidad (para minimizar las tareas de mantenimiento).

Con la tecnología RCDC, Infineon amplía su portfolio KE3 de 6.5 kV de IGBT. Su mayor densidad de corriente es resultado de un área de silicio más activa en ambas direcciones que pretende aumentar la flexibilidad de los diseñadores a la hora de extender la potencia de salida en aplicaciones con restricciones de espacio.

Esta mejora en densidad se puede emplear para mantener la potencia y reducir el número de IGBT y, en consecuencia, disminuir el tamaño y los costes.

La solución del módulo de alimentación con funcionalidad de IGBT y diodo RCDC de Infineon se suministra en un encapsulado de elevado aislamiento IHV-A con footprint estándar, respaldando así el reemplazo de las aplicaciones existentes.

Además de fomentar el incremento de densidad de potencia, la integración monolítica de IGBT y diodo ayuda a aumentar el valor l 2t de diodo y el rendimiento térmico (R th / Z th) en un amplio rango de temperatura operativa.

Otras propiedades del módulo de alimentación con funcionalidad de IGBT y diodo

Una menor temperatura de fusión virtual (T vj) contribuye a alargar el funcionamiento, mientras que la opción de usar control de puerta permite optimizar la eficiencia y disminuir las pérdidas de conmutación.

Infineon también ofrecerá kits de arranque con tarjeta de evaluación y driver.