La memoria SPI NOR Flash GD25NE combina un voltaje de núcleo de 1,8 V con una interfaz de E/S de 1,2 V, lo que permite eliminar los circuitos de refuerzo y reducir el consumo energético en un 50 % en comparación con soluciones tradicionales.
Además, ofrece velocidades de lectura, programación y borrado mejoradas para aplicaciones embebidas avanzadas.
GigaDevice ha presentado la serie GD25NE, diseñada específicamente para aplicaciones basadas en SoCs de 1,2 V. Esta memoria SPI NOR Flash de doble alimentación elimina la necesidad de un circuito elevador externo, lo que simplifica el diseño del sistema y optimiza el consumo energético.
Gracias a sus mejoras en rendimiento y eficiencia, esta solución se posiciona como una opción ideal para dispositivos wearables, aplicaciones sanitarias, IoT, centros de datos y Edge AI.
Alto rendimiento con bajo consumo
La memoria GD25NE opera con un voltaje de núcleo de 1,8 V y una interfaz de E/S de 1,2 V, permitiendo modos de operación en STR (Single Transfer Rate) y DTR (Double Transfer Rate).
En modo STR, alcanza frecuencias de reloj de hasta 133 MHz, mientras que en modo DTR, llega a 104 MHz.
Sus tiempos de programación y borrado son significativamente menores en comparación con soluciones tradicionales de 1,2 V, ofreciendo una velocidad de lectura un 20 % superior, una programación un 60 % más rápida y una reducción del 30 % en el tiempo de borrado.
En términos de eficiencia energética, destaca por su corriente de reposo de 0,2 µA, un consumo en lectura de 9 mA en modo Quad I/O DTR a 104 MHz y una corriente de programación/borrado de solo 8 mA.
Disponibilidad y formatos
La serie GD25NE está disponible en capacidades que van desde 32 Mb hasta 256 Mb, ofreciendo opciones de encapsulado SOP16 (300 mil) y BGA24 (5×5 ball array).
El primer modelo en lanzarse, el GD25NE256H de 256 Mb, ya está disponible en fase de muestreo, mientras que las versiones de 32 Mb a 128 Mb se incorporarán progresivamente al mercado.
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