Con ocho dies DRAM de 16 Gb, esta nueva memoria HBM2E de 16 GB para almacenamiento ofrece elevada capacidad y garantiza una transferencia estable a 3,2 Gbps.
Samsung Electronics anuncia el lanzamiento de Flashbolt, su memoria High Bandwidth Memory 2E (HBM2E) de tercera generación que, con una capacidad de 16 GB, pretende mejorar los sistemas informáticos de elevado rendimiento (HPC) y respaldar los avances en superordenadores, análisis de datos basados en inteligencia artificial (IA) y sistemas gráficos.
“Con la introducción de la DRAM de mayor rendimiento disponible, damos un paso adelante para mejorar nuestro rol como fabricante innovador en el mercado de memoria premium”, afirma Cheol Choi, Vicepresidente Ejecutivo de Ventas & Marketing de Memoria de Samsung Electronics.
Capaz de doblar la capacidad de la anterior generación (Aquabolt – HBM2 de 8 GB), la nueva Flashbolt también aumenta el rendimiento y la eficiencia para soportar sistemas informáticos avanzados.
Tecnología para las nuevas memorias HBM2E
La capacidad de 16 GB es consecuencia del uso de ocho capas apiladas verticalmente de dies DRAM de 16 Gb y 10 nm (1y) en la parte superior de un chip búfer. Por lo tanto, este encapsulado HBM2E se interconecta en una disposición de más de 40.000 microbombas TSV (through silicon via). Cada die contiene más de 5600 huecos microscópicos.
Flashbolt proporciona una velocidad de transferencia de datos fiable de 3,2 Gbps al aprovechar un diseño de circuito optimizado para la transmisión de señal. También ofrece un ancho de banda de memoria de memoria por pila de 410 GB/s.
La memoria HBM2E de Samsung soporta una velocidad de transferencia de 4,2 Gbps, la máxima hasta la fecha, y permite un ancho de banda por pila de 538 GB/s en futuras aplicaciones, superando los 307 GB/s de Aquabolt. Samsung seguirá suministrando la segunda generación de la línea Aquabolt, mientras amplía la tercera generación de Flashbolt, y colaborando con terceras compañías para acelerar la transición a soluciones HBM en el mercado premium.
