Samsung Electronics ha comenzado la producción masiva de la primera memoria DRAM LPDDR4 (low power, double data rate 4 – bajo consumo, ratio de datos doble de 12 Gb basada en su tecnología de proceso de 20 nm.
Se espera que LPDDR4 acelere significativamente la adopción de DRAM móvil de alta capacidad. Este modelo de 12 Gb ofrece la máxima capacidad y velocidad para un chip DRAM, al mismo tiempo que dota de mejoras en eficiencia energética, fiabilidad y facilidad de diseño para respaldar el desarrollo de dispositivos de próxima generación.
En comparación con la anterior LPDDR4 de 8 Gb basada en 20 nm, la memoria DRAM LPDDR4 versión de 12 Gb es un 30 por ciento más rápida a 4,266 Mbps y el doble de veloz que DRAM DDR4 para PC, con un consumo un 20 por ciento inferior.
Además, LPDDR4 de 12 Gb permite 3 GB o 6 GB de memoria DRAM móvil en un solo encapsulado, usando dos y cuatro chips, respectivamente, y siendo la única solución en ofrecer LPDDR4 de 6 GB.
En dispositivos de próxima generación, la nueva memoria DRAM LPDDR4 de Samsung ayudará a los usuarios a disfrutar de rendimiento multitarea con los últimos entornos de sistema operativo.
Además, basado en esta LPDDR4 de 12 Gb, el encapsulado de 6 GB se integra en el mismo espacio para packages LPDDR4 de 3 GB con el objetivo de proporcionar compatibilidad de diseño y productividad de fabricación en dispositivos móviles avanzados.
Al ampliar su línea de productos de memoria de alta capacidad basada en LPDDR4 de 12 Gb, Samsung refuerza su familia de DRAM de 20 nm (4, 6, 8 y 12 Gb).
Usos para la memoria DRAM LPDDR4
El fabricante también espera que los beneficios de la memoria móvil LPDDR4 no sólo se apliquen en Smartphones y Tablets, sino que también lleguen a PC ultra delgados, appliances digitales y dispositivos de automoción en los próximos años.
