El MOSFET MXT MDT15N054PTRH de octava generación en encapsulado TOLL también está indicado en sistemas de gestión de batería (BMS) y fuentes de alimentación de electrónica de consumo.
MagnaChip Semiconductor anuncia el lanzamiento de un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) MXT de 150 V de octava generación, optimizado para controladores de vehículos eléctricos ligeros (LEV) y sistemas de gestión de batería (BMS), así como para un buen número de fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) en electrónica de consumo.
La eficiencia es un aspecto crítico en los dispositivos eléctricos en lo que se refiere a consumo y estabilidad de producto. Por ello, el nuevo MOSFET MDT15N054PTRH se beneficia de la tecnología trench MOSFET de octava generación de la compañía para poder reducir la RDS(on) un 28 por ciento con respecto a la anterior generación. También aprovecha un diseño “mejorado” de celda de núcleo y terminación.
El MDT15N054PTRH se encuentra disponible en un encapsulado TO-Leadless (TOLL) para disminuir el tamaño y aumentar la disipación de calor. La eficiencia también es significativamente mayor (conmutación rápida), al igual que la densidad de potencia.
Las principales características se completan con una temperatura operativa de unión de -55 a +175 °C y un elevado nivel de avalancha que ayuda al MOSFET MTX a superar los requisitos de rendimiento de controladores de motor de LEV y BMS.
“Desde 2008, hemos lanzado más de cuarenta productos MOSFET para controladores de motores y sistemas de gestión de baterías y, desde 2017, la mayoría de ellos se han fabricado para aplicaciones LEV», comenta YJ Kim, CEO de Magnachip. “Como fabricante de MOSFET de alto rendimiento, Magnachip continúa desarrollando soluciones innovadoras que satisfacen los requisitos sofisticados del mercado”.
 y fuentes){kind=link}