El dispositivo ISG3201 incluye dos HEMT InnoGaN de 100 V y 3,2 mΩ y circuitería de controlador en un encapsulado LGA de 5 x 6,5 x 1,1 mm.
Innoscience Technology, compañía fundada para crear un ecosistema energético global basado en soluciones de alimentación de nitruro de galio en silicio (GaN-on-Si) de bajo coste, lanza el primer modelo de una nueva familia de dispositivos GaN integrados SolidGaN.
Así, el ISG3201 es un circuito half–bridge completo que incluye dos HEMT InnoGaN de 100 V y 3,2 mΩ y la circuitería de controlador requerida en un encapsulado LGA de 5 x 6,5 x 1,1 mm.
Yi Sun, general manager de Innoscience America y Senior VP, destaca que “nuestra compañía ofrece a los diseñadores capacidad de elección entre la flexibilidad de utilizar una solución discreta y este nuevo enfoque integrado, compacto y fácil de usar que simplifica la distribución de la etapa de potencia”.
El medio puente SolidGaN ISG3201 consta de dos HEMT GaN e-mode de 100 V y 3,2 con controlador, resistencia, bootstrapy condensadores Vcc. Tiene una capacidad de corriente continua de 34 A, una carga de recuperación inversa “cero” y una resistencia muy baja.
Gracias a su nivel de integración, los parásitos de bucle (gate loop y power loop) se mantienen por debajo de 1 nH. Como resultado, se minimizan los picos de tensión en los nodos de conmutación. La velocidad de encendido de los HEMT GaN se pueden ajustar emplear una sola resistencia.
Aplicaciones y beneficios de su uso
En principio, el ISG3201 resulta ideal en convertidores Buck de alta frecuencia, convertidores half–bridge o full–bridge, amplificadores de audio de Clase D, convertidores LLC y módulos de alimentación.
Además, esta solución integrada puede ahorrar hasta un 20 por ciento de espacio de PCB en diseños GaN discretos y hasta un 73 por ciento de tarjeta en implementaciones de silicio tradicionales.
Pengju Kong, Vicepresidente de Ingeniería de Diseño de Producto de Innoscience, añade que “el ISG3201 es el primer dispositivo half–bridge de una familia completa de soluciones basadas en GaN SolidGaN que iremos trayendo al mercado a lo largo del año, incluyendo otros circuitos half–bridge con diferentes tensiones”
**, que encontrarás a continuación.](https://www.diarioelectronicohoy.com/imagenes/2024/11/Potenciometros-238x178.jpg "Potenciómetros rotativos PTN09SX")
