El nuevo IGBT de 1350 V para electrodomésticos de calentamiento por inducción GT20N135SRA ofrece flexibilidad de diseño y ayuda a reducir las pérdidas en aplicaciones de potencia basadas en resonancia.
Toshiba Electronics Europe lanza un nuevo transistor bipolar de puerta aislada (Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT) discreto de 1350 V para uso en electrodomésticos basados en resonancia que emplean calentamiento por inducción, incluyendo cocinas (tabletop cookers), ollas arroceras y hornos microondas.
El nuevo GT20N135SRA destaca por una tensión de saturación de colector – emisor (VCE(sat)) de 1,6 V (típica) y una tensión directa (VF) de diodo de 1,75 V, que suponen unas reducciones de alrededor del 10 y el 21 por ciento, respectivamente, en comparación con productos convencionales.
Tanto el IGBT de 1350 V como el diodo mejoran sus características de pérdida de conducción con temperatura elevada (TC = 100 ℃) y, por ende, proporcionan una operación más eficiente.
Además, una resistencia térmica junction-to-case máxima (Rth(j-c)) de 0.48 °C/W favorece un diseño con un 26 por ciento menos de disipadores de calor que otras alternativas existentes.
Un detalle en el componente de potencia
El GT20N135SRA puede suprimir la corriente de cortocircuito a través del condensador de resonancia que se genera cuando el dispositivo arranca. El pico de corriente de cortocircuito es de 129 A, casi un tercio menor que el de otras soluciones. El área de operación segura (Safe Operating Area – SOA) se amplía, lo que significa que el IGBT es menos propenso al colapso, dotando a los diseñadores de mayor flexibilidad.
Disponible en un encapsulado TO-247 estándar, este nuevo IGBT de 1350 V para electrodomésticos de calentamiento por inducción puede gestionar una corriente de colector (IC) de hasta 40 A y así disminuir la limitación a 20 A con una temperatura de 100 °C.
**, que encontrarás a continuación.](https://www.diarioelectronicohoy.com/imagenes/2024/11/Potenciometros-238x178.jpg "Potenciómetros rotativos PTN09SX")
