Los modelos G2 SPICE cubren MOSFET de baja, media y alta tensión.
Toshiba Electronics Europe anuncia la disponibilidad de modelos G2 SPICE de alta precisión que permiten a los diseñadores simular el rendimiento de sus diseños antes de abordar el hardware.
Junto a los actuales modelos G0 SPICE de Toshiba que resaltan la velocidad computacional sobre la precisión, la nueva gama G2 SPICE ahora es accesible para simular las características temporales con mayor precisión.
La simulación es una herramienta valiosa para los diseñadores al reducir el número de prototipos requeridos, eliminando la necesidad de respins y, por ende, incrementando la eficiencia de desarrollo y disminuyendo el tiempo, el coste y el riesgo.
Así, en los desafiantes mundos de los diseños para electrónica de potencia y la automoción existe una gran demanda de predicciones del rendimiento ante la interferencia electromagnética (EMI) y la disipación de potencia en todo el sistema. Esto lleva a una mayor necesidad de modelos SPICE para semiconductores de potencia que pueden pronosticar las eficiencias de conversión, la EMI y otros parámetros relevantes.
Muchas posibilidades para su uso
En principio, estos nuevos modelos G2 SPICE para dispositivos de alimentación discretos se han creado usando el formato de modelo macro, combinando múltiples modelos compactos para compartir la estructura del dispositivo, representando las características eléctricas con muy pocos elementos no lineales y una función arbitraria continua.
Con este enfoque, las simulaciones son más precisas y cercanas a las medidas actuales al aumentar la capacidad de reproducción de las características del dominio de alta corriente de la curva ID-VDS, incluyendo las características dependientes de la tensión de la capacidad parásita.
Disponibles en la página web de Toshiba, los modelos G2 cubren MOSFET de baja tensión (de 12 a 300 V) y media y alta tensión (de 400 a 900 V). También hay versiones para PSpice y LTSpice.
