Soportando un ancho de banda de 40 GHz y una velocidad de transmisión de 400 Gbps, el fotodiodo InGaAs con chip-on-carrier integrado en la lente KP-H KPDEH12L-CC1C resulta ideal en 5G y otras muchas aplicaciones.
Kyoto Semiconductor desarrolla el fotodiodo de alta velocidad KP-H KPDEH12L-CC1C, para soportar aquellos sistemas de transmisión de 400 Gbps que usan PAM4 (Pulse Amplitude Modulation 4) en el interior y entre los centros de datos.
Con la introducción de este fotodiodo InGaAs, la compañía pretende satisfacer la necesidad de mejoras en velocidad y capacidad de los sistemas de transmisión de redes 5G y otras muchas aplicaciones.
Alta velocidad en el fotodiodo InGaAs
El tamaño de la portadora en la que se monta el fotodiodo y el ancho y la longitud del patrón de electrodo de elevada frecuencia ubicado en la propia portadora están optimizados usando una simulación electromagnética.
Como resultado, Kyoto Semiconductor puede ofrecer 400 Gbps y 40 GHz como una banda de frecuencia con un amplificador de transimpedancia integrado.
Este fotodiodo KP-H ha superado las pruebas Telcordia GR-468-Core, que es la prueba de fiabilidad estándar para los equipos de comunicación.
Fácil implementación en los diseños
El KPDEH12L-CC1C se monta en una portadora diseñada específicamente para lograr una alta frecuencia.
Una lente condensadora se integra en la parte trasera del fotodiodo, posibilitando recoger la luz que entra en el área de absorción y facilitando la alineación de la fibra óptica con el fotodiodo.
El chip se instala en una portadora el doble de grande que el propio chip.
