Los nueve nuevos modelos de FET SiC anunciados proporcionan mejoras en la flexibilidad del diseño.
UnitedSiC, fabricante de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC), responde a la demanda de FET SiC con mejoras en rendimiento y eficiencia por parte de los diseñadores con el anuncio de un dispositivo de 750 V y 6 mΩ.
Con un valor RDS(on) de menos de la mitad de su competidor MOSFET SiC más cercano, el nuevo modelo de 6 mΩ ofrece una ratio de tiempo de resistencia al cortocircuito de 5 ms.
Esta novedad incluye nueve opciones de dispositivo/encapsulado en un FET SiC de 750 V asignado a 6, 9, 11, 23, 33 y 44 mΩ. Todas las versiones se encuentran disponibles en un encapsulado TO-247-4L, mientras que las variantes de 18, 23, 33, 44 y 60 mΩ lo hacen en un TO-247-3L.
Complementado por los dispositivos de 18 y 60 mΩ, este modelo de 750 V aporta más opciones de diseño y, por ende, mayor flexibilidad a la hora de lograr la relación coste/eficiencia óptima, manteniendo los márgenes de diseño y la robustez de circuito.
Los FET SiC Gen 4 de UnitedSiC ofrecen una “cascada” de FET SiC y un MOSFET de silicio que dota de todas las ventajas de la tecnología de banda ancha prohibida (wide band-gap): alta velocidad y bajas pérdidas con una operación a alta temperatura, junto con protección ESD integral.
Esta cuarta generación también se distingue por dotar de los valores más bajos del mercado con temperaturas de die altas y bajas, así como de reducción de la resistencia térmica.
Posibilidades de implementación
Para aquellas aplicaciones de conmutación dura, el diodo de cuerpo integral de los FET SiC es superior en lo que se refiere a velocidad de recuperación y caída de tensión con respecto a las tecnologías de MOSFET Si o SiC
Estas mejoras técnicas en eficiencia de conmutación y resistencia satisfacen las necesidades de muy diversas aplicaciones emergentes, como controles de tracción y cargadores on-board y off-board en vehículos eléctricos y todas las fases de conversión de potencia unidireccional y bidireccional en inversores de energías renovables, corrección de factor de potencia, convertidores de telecomunicaciones y sistemas de conversión AC/DC o DC/DC.
Las aplicaciones “establecidas” también pueden aprovechar la eficiencia y la compatibilidad del dispositivo con controladores de puerta IGBT y MOSFET Si y encapsulados TO-247.
Finalmente, tenéis más información y características en https://info.unitedsic.com/gen4
