Los nuevos modelos Power FET GaN, que cumplen el estándar JEDEC, superan los requisitos de una amplia variedad de sectores.
Nexperia, compañía experta en semiconductores, lanza su primeros FET de nitruro de galio de potencia (Power GaN FET) en configuración de “modo mejorado” (e-mode) para aplicaciones de baja (100/150 V) y alta (650 V) tensión. La nueva oferta se compone de siete dispositivos.
Alta tensión
Hay cinco FET GaN e-mode de 650 V con valores de RDS(on) de 80 y 190 mΩ en diversos encapsulados DFN de 5×6 y 8×8 mm. Ayudan a aumentar la eficiencia de conversión de potencia en sistemas de comunicaciones de datos/telecomunicaciones, soluciones de carga de electrónica de consumo, energía solar y entornos industriales. También se pueden emplear en el diseño de motores DC sin escobilla (BLDC) y controles de microservidores.
Baja tensión
Entre las novedades también se encuentran un FET GaN de 100 V (3,2 mΩ) en encapsulado WLCSP8 y un dispositivo de 150 V (7 mΩ) en FCLGA.
Ambos modelos resultan idóneos en aplicaciones de baja tensión (menos de 150 V) como, por ejemplo, convertidores DC-DC más eficientes en centros de datos, recarga rápida (electromovilidad y USB-C), transceptores LiDAR de pequeño tamaño, amplificadores de audio Clase D de bajo ruido y dispositivos de consumo, destacando teléfonos móviles, ordenadores portátiles y consolas de juego.
Con este lanzamiento, Nexperia ofrece un amplio catálogo de productos GET GaN para adaptarse a los requisitos de numerosas aplicaciones de alimentación, incluyendo dispositivos en cascada para sistemas de alta tensión y elevada potencia.
Los modelos e–mode se fabrican en una línea de oblea de 8” para aumentar la capacidad y superar los estándares en entornos industriales, de acuerdo a JEDEC.
Si te interesan, en el “Servicio al lector de NTDhoy” puedes solicitar más información de los Power GaN FET.
**, que encontrarás a continuación.](https://www.diarioelectronicohoy.com/imagenes/2024/11/Potenciometros-238x178.jpg "Potenciómetros rotativos PTN09SX")
