Válido para su uso en aplicaciones de telecomunicaciones, redes, y computación de alta densidad, este FET eGaN de 40 V EPC2067 ofrece un rendimiento optimizado.
EPC, especialista en productos de gestión de potencia basados en un modo mejorado de nitruro de galio (eGaN), presenta nuevo dispositivo FET EPC2067 de alta densidad eGaN de 40 V y 1,3 mOhm.
Así, el EPC2067 ofrece a los diseñadores un dispositivo de menor tamaño y mayor eficiencia y fiabilidad que los dispositivos MOSFET para aplicaciones que requieren de un alto rendimiento en un espacio constreñido.
Entre las aplicaciones de alta demanda con requisitos de alta densidad de potencia para las cuales el FET eGaN de 40 V EPC2067, se encuentran los servidores con entrada de entre 48 y 54 V.
Además, sus cargas de puerta más bajas y las pérdidas de recuperación inversa cero, permiten un funcionamiento de alta frecuencia de 1 MHz, y con mayor eficiencia, todo ello con una huella pequeña, de 9,3 mm2 para una densidad de potencia de última generación.
Algunas de sus mejores propiedades
Inicialmente, los parámetros eléctricos de este dispositivo son: voltaje de drenaje a fuente VDS contínuo de 40 V, con hasta 100.000 pulsos de 5 ms a 150 grados es de 48 V; ID continuado (TA de 25 grados) de 69 A, y pulsado (25 grados centígrados con un pulso T de 300 us) de 409 A, VGS de puerta a fuente de 6 hasta -4 V, y una temperatura operativa de entre -40 y +150 grados centígrados.
Viene acompañado de la placa de desarrollo EPC90138, que presenta un voltaje máximo de dispositivo de 40 V, una salida de corriente máxima de 40 A, medio puente con accionamientos de puerta en placa, y dispone del EPC2067.
Por otro lado, el tamaño de esta placa es de 50,8×50,8 mm, y su diseño le permite ofrecer un rendimiento de conmutación óptimo y contiene todos los componentes críticos para evaluar, de forma sencilla, el EPC2067.
Finalmente, aquellos técnicos e ingenieros que necesiten consultar más información sobre este dispositivo, pueden dirigirse a su correspondiente página web.
