Mouser Electronics ya dispone en stock de la etapa de potencia GaN LMG5200 de Texas Instruments.
El dispositivo LMG5200 ofrece unas pérdidas de potencia un 25 por ciento más bajas que los diseños basados en silicio, permitiendo así la conversión en una sola etapa, así como una mayor densidad de potencia y eficiencia en aplicaciones industriales, de telecomunicaciones y control de motores de alta frecuencia y con poco espacio disponible.
Esta nueva etapa de potencia GaN está basada en un transistor FET (Field-Effect Transistor) GaN integrado de 80 V / 10 A e incorpora un controlador de alta frecuencia y dos FET GaN de 15 miliohmios en una configuración de medio puente.
Reduce significativamente el nivel de interferencias electromagnéticas y aumenta la eficiencia de la etapa de potencia al minimizar las inductancias parásitas del encapsulado en el bucle crítico de control de puerta.
Incorpora una avanzada tecnología de encapsulado multichip y está optimizada para topologías de conversión de potencia a frecuencias de hasta 5 MHz.
Las entradas del LMG5200 son compatibles con TTL (transistor–transistor logic) y pueden resistir tensiones de entrada de hasta 2 V, sea cual sea la tensión de VCC. Esto permite conectar las entradas directamente a las salidas de un controlador PWM analógico con una fuente de alimentación de hasta 12 V, por lo que no se necesita buffer.
La técnica propia de bloqueo por auto elevación de tensión asegura que las tensiones de puerta de los FET GaN en modo de enriquecimiento permanezcan dentro de un rango de funcionamiento seguro.
Complementos para la etapa de potencia GaN
Mouser también dispone del módulo de evaluación LMG5200EVM-02, diseñado para proporcionar a los ingenieros una etapa de potencia completa con una señal PWM externa. La tarjeta se puede configurar como un convertidor reductor (buck), un convertidor elevador (boost) u otra topología de convertidor que utilice medio puente.
Se puede utilizar para evaluar las prestaciones del LMG5200 como convertidor de conmutación dura para realizadas muestras de medidas como eficiencia, velocidad de conmutación y variación de la tensión a lo largo del tiempo (dV/dt).
