El nuevo encapsulado DFN con tecnología AlphaSGT Source Down resulta ideal en fuentes de alimentación de elevada potencia de sistemas de telecomunicaciones.
Alpha and Omega Semiconductor (AOS) introduce el “Source Down” en un encapsulado DFN 5×6 con tecnología 40V Shield-Gate Technology (AlphaSGT).
Este know-how flip-chip de AOS aporta la capacidad Source Down y esta tecnología de encapsulado reduce la resistencia y la inductancia.
El AOE66410 está especialmente indicado en aplicaciones de telecomunicaciones para rectificación secundaria (RS), en configuración half bridge para motor BLDC y en gestión de batería, donde la conexión en paralelo es importante.
Además, tiene el mismo formato de un encapsulado DFN de 5×6, pero el pad Source ofrece una conexión más amplia a la PCB. Esto permite a los diseñadores de fuentes de alimentación conectar en paralelo los dispositivos más fácilmente y dispongan de mayor área térmica para disipar cualquier pérdida.
La nueva solución se caracteriza por 1 mΩ a 10 Vgs con una corriente máxima de 100 A y una temperatura de +25 °C.
“El encapsulado DFN Source Down con tecnología AlphaSGT puede proporcionar una mejora significativa en la distribución de PCB y simplificar los nuevos diseños paralelos, que resultan idóneos en fuentes de alimentación de elevada potencia de sistemas de telecomunicaciones”, señala Peter H. Wilson, Director de Marketing de la Línea de Productos MOSFET de AOS.
