Esta DRAM LPDDR5X de 16 Gb ofrece mejoras en velocidad de procesamiento y eficiencia.
Samsung Electronics, fabricante de tecnología de memoria avanzada, anuncia el desarrollo de la primera DRAM Low Power Double Data Rate 5X (LPDDR5X) de 16 Gb basada en 14 nanómetros (nm), especialmente diseñada para responder al crecimiento en el rendimiento de las aplicaciones de servicio de datos de alta velocidad, incluyendo 5G, inteligencia artificial (IA) y el metaverso.
“En los últimos años, los segmentos de mercado hiperconectados, como IA, realidad aumentada (RA) y el metaverso, que confían en el procesamiento de datos a gran escala y de manera extremadamente rápida, se han expandido en gran medida”, señala SangJoon Hwang, vicepresidente senior y responsable del DRAM Design Team de Samsung Electronics. “Nuestra memoria LPDDR5X ampliará el uso de la memoria de alto rendimiento y bajo consumo más allá de los teléfonos móviles y dotará de nuevas capacidades a aplicaciones en el borde basadas en IA, como servidores, e incluso automóviles”.
Futuro para las nuevas memorias
La LPDDR5X es una DRAM móvil de próxima generación desarrollada para incrementar la velocidad, la capacidad y el ahorro de energía en futuras aplicaciones 5G. En 2018, Samsung presentó la primera DRAM LPDDR5 de 8 GB y, ahora se mueve más allá de los mercados móviles con la nueva DRAM LPDDR5X de 16 GB.
Además, esta nueva memoria proporciona velocidades de procesamiento de datos de hasta 8,5 Gbps, que son 1,3 veces más rápidas que los 6,4 Gbps de LPDDR5. Aprovechando la tecnología de proceso DRAM de 14 nm, utilizará alrededor de un 20 por ciento menos de energía que LPDDR5.
Mientras, el chip LPDDR5X de 16 GB posibilitará hasta 64 GB por paquete de memoria, respondiendo a la creciente demanda de DRAM móviles de mayor capacidad.
A finales del presente año, Samsung comenzará a colaborar con los fabricantes de chipsets globales para establecer un marco más viable para el mundo en expansión de la realidad digital, donde su LPDDR5X funciona como una parte esencial de la base.