Esta DRAM DDR5 de 16 GB y 12 nm aporta rendimiento y eficiencia en informática de próxima generación, centros de datos y sistemas de inteligencia artificial.
Samsung Electronics, fabricante de tecnología de memoria avanzada, anuncia el desarrollo de su DRAM DDR5 de 16 GB que usa la primera tecnología de proceso de 12 nm de la industria, así como la evaluación de producto completa para garantizar la compatibilidad con AMD.
“Nuestra DRAM de 12 nm pretende respaldar la adopción masiva de DRAM DDR5”, afirma Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung Electronics. “Combinando rendimiento excepcional y eficiencia, esta nueva DRAM servirá como base de operaciones más sostenibles en áreas como informática de próxima generación, centros de datos y sistemas de inteligencia artificial (IA)”.
“A menudo, la innovación requiere una estrecha colaboración con socios de la industria para sacar el máximo partido a la tecnología”, añade Joe Macri, Senior VP, Corporate Fellow and Client, Compute and Graphics CTO de AMD. “Hemos vuelto a cooperar una vez más con Samsung para introducir productos de memoria DDR5 optimizados y validados en las plataformas Zen”.
EL estándar para avanzar
Este salto tecnológico ha sido posible gracias al uso de un nuevo material high–κ que aumenta la capacidad de celda y un diseño que mejorar las características de circuito críticas. En combinación con litografía ultravioleta extrema (EUV) multicapa, la nueva DRAM ofrece la máxima densidad de die, lo que se traduce en una ganancia del 20 por ciento en la productividad de oblea.
Beneficiándose del último estándar DDR5, esta memoria DRAM de 12 nm de Samsung alcanza velocidades de hasta 7,2 Gbps y permite, por ejemplo, procesar dos películas UHD de 30 GB en un segundo.
Aparte de esta velocidad, la DRAM DDR5 de 16 GB también se distingue por una mayor eficiencia al consumir hasta un 23 por ciento menos que el anterior modelo. De este modo, proporciona una alternativa ideal a compañías TI globales.
El comienzo de la producción masiva está previsto en 2023.
