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Dispositivos GaN INN100W135A-Q e INN100W800A-Q de 100 V

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La compañía lanza los dispositivos GaN INN100W135A-Q e INN100W800A-Q, diseñados para optimizar la eficiencia y precisión en sistemas de conducción asistida y aplicaciones LiDAR, ofreciendo ventajas significativas en tamaño y rendimiento energético.

Innoscience Technology ha ampliado su catálogo de dispositivos de nitruro de galio sobre silicio (GaN-on-Si) con dos nuevos componentes automotrices de 100 V.

Los modelos INN100W135A-Q e INN100W800A-Q se presentan como soluciones certificadas bajo el estándar AEC-Q101, y están específicamente optimizados para aplicaciones de LiDAR, convertidores DC-DC de alta densidad de potencia y sistemas de audio Clase D en la industria automotriz.

Dichos dispositivos están dirigidos a satisfacer los requisitos de los sistemas de conducción asistida L2+/L3, donde la velocidad de conmutación es crucial.

Comparado con las soluciones basadas en silicio, los dispositivos GaN de Innoscience alcanzan velocidades hasta 13 veces mayores y permiten una reducción de hasta una quinta parte en los anchos de pulso.

Esta optimización se traduce en una mejora en parámetros críticos como Qg y Qoss, que en estos dispositivos presentan una mejora de entre 1,5 y 3 veces frente a sus equivalentes de silicio, lo que favorece capacidades de reconocimiento de rango medio a largo de hasta 200/300 m. Estos aspectos son fundamentales para los sistemas avanzados de asistencia y conducción autónoma.

Ventajas del tamaño compacto y la eficiencia energética

Los dispositivos INN100W135A-Q e INN100W800A-Q presentan un paquete compacto WLCSP con dimensiones de 2,13 mm x 1,63 mm y 0,9 mm x 0,9 mm respectivamente.

Así, dicha configuración permite un diseño más compacto en aplicaciones automotrices, lo cual es esencial para la integración en vehículos de próxima generación. La eficiencia energética de estos dispositivos, superior a la de soluciones tradicionales de silicio, permite una reducción significativa de la pérdida de potencia y el aumento de la temperatura.

Aplicaciones clave y producción en masa

Ambos modelos están especialmente diseñados para satisfacer la creciente demanda de tecnologías de asistencia en la conducción y sistemas autónomos, donde la precisión y la eficiencia energética son prioritarias.

Según ha explicado el gerente general de Innoscience Europa, los dispositivos GaN están sustituyendo rápidamente al silicio en aplicaciones automotrices críticas, debido a su capacidad para ofrecer mayor resolución y mayores distancias de detección, al tiempo que reducen las pérdidas de potencia y la generación de calor.

Dispositivos GaN INN100W135A-Q e INN100W800A-Q de 100 V

Los modelos INN100W135A-Q e INN100W800A-Q ya han entrado en producción masiva y están siendo entregados en lotes para satisfacer la demanda de la industria.

Para aquellos interesados, en la página web de Innoscience se puede acceder a las especificaciones técnicas detalladas y a modelos de simulación, además de poder solicitar muestras para proyectos específicos.

Y, para otro tipo de información sobre los dispositivos GaN INN100W135A-Q e INN100W800A-Q, puedes utilizar nuestro SERVICIO GRATUITO AL LECTOR, que encontrarás a continuación.

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