La compañía lanza los dispositivos GaN INN100W135A-Q e INN100W800A-Q, diseñados para optimizar la eficiencia y precisión en sistemas de conducción asistida y aplicaciones LiDAR, ofreciendo ventajas significativas en tamaño y rendimiento energético.
Innoscience Technology ha ampliado su catálogo de dispositivos de nitruro de galio sobre silicio (GaN-on-Si) con dos nuevos componentes automotrices de 100 V.
Los modelos INN100W135A-Q e INN100W800A-Q se presentan como soluciones certificadas bajo el estándar AEC-Q101, y están específicamente optimizados para aplicaciones de LiDAR, convertidores DC-DC de alta densidad de potencia y sistemas de audio Clase D en la industria automotriz.
Dichos dispositivos están dirigidos a satisfacer los requisitos de los sistemas de conducción asistida L2+/L3, donde la velocidad de conmutación es crucial.
Comparado con las soluciones basadas en silicio, los dispositivos GaN de Innoscience alcanzan velocidades hasta 13 veces mayores y permiten una reducción de hasta una quinta parte en los anchos de pulso.
Esta optimización se traduce en una mejora en parámetros críticos como Qg y Qoss, que en estos dispositivos presentan una mejora de entre 1,5 y 3 veces frente a sus equivalentes de silicio, lo que favorece capacidades de reconocimiento de rango medio a largo de hasta 200/300 m. Estos aspectos son fundamentales para los sistemas avanzados de asistencia y conducción autónoma.
Ventajas del tamaño compacto y la eficiencia energética
Los dispositivos INN100W135A-Q e INN100W800A-Q presentan un paquete compacto WLCSP con dimensiones de 2,13 mm x 1,63 mm y 0,9 mm x 0,9 mm respectivamente.
Así, dicha configuración permite un diseño más compacto en aplicaciones automotrices, lo cual es esencial para la integración en vehículos de próxima generación. La eficiencia energética de estos dispositivos, superior a la de soluciones tradicionales de silicio, permite una reducción significativa de la pérdida de potencia y el aumento de la temperatura.
Aplicaciones clave y producción en masa
Ambos modelos están especialmente diseñados para satisfacer la creciente demanda de tecnologías de asistencia en la conducción y sistemas autónomos, donde la precisión y la eficiencia energética son prioritarias.
Según ha explicado el gerente general de Innoscience Europa, los dispositivos GaN están sustituyendo rápidamente al silicio en aplicaciones automotrices críticas, debido a su capacidad para ofrecer mayor resolución y mayores distancias de detección, al tiempo que reducen las pérdidas de potencia y la generación de calor.
Los modelos INN100W135A-Q e INN100W800A-Q ya han entrado en producción masiva y están siendo entregados en lotes para satisfacer la demanda de la industria.
Para aquellos interesados, en la página web de Innoscience se puede acceder a las especificaciones técnicas detalladas y a modelos de simulación, además de poder solicitar muestras para proyectos específicos.
Y, para otro tipo de información sobre los dispositivos GaN INN100W135A-Q e INN100W800A-Q, puedes utilizar nuestro SERVICIO GRATUITO AL LECTOR, que encontrarás a continuación.
**, que encontrarás a continuación.](https://www.diarioelectronicohoy.com/imagenes/2024/11/Potenciometros-238x178.jpg "Potenciómetros rotativos PTN09SX")
