Con una resistencia interna ultra baja, estos dispositivos de alimentación power switching HEMTs GaN EPC7018G y EPC7007B están indicados para su uso en aplicaciones que deban soportar altas radiaciones, como las espaciales.
EPC Space, compañía dedicada a las soluciones GaN para la gestión de alimentación en aplicaciones sujetas al influjo de radiaciones, como las del sector aeroespacial, presenta sus nuevos dispositivos de alimentación GaN EPC7018G y EPC7007B.
Ambos son transistores GaN (Nitruro de Galio, por sus siglas en inglés) que presentan una resistencia interna ultra baja y una carga de puerta extremadamente baja para lograr soluciones que presenten una mayor densidad de potencia, disminuyendo su coste, y haciéndolas más eficientes que las soluciones más protegidas de las radiaciones, pero basadas en MOSFETs de silicio.
El encapsulado de estos dispositivos es hermético, y la huella que provocan en la PCB es muy pequeña. Si es de nuestro interés, EPC también es capaz de proporcionar versiones de ambos dispositivos a escala de chips.
Presentan una mayor resistencia a la ruptura, menor carga de compuerta, menos pérdidas de conmutación, una conductividad térmica mejorada, y menor resistencia de encendido. Con estos datos, los dispositivos de alimentación basados en GaN superan significativamente a los dispositivos basados en silicio, y permiten mayores frecuencias de conmutación, lo que redunda en mayores densidades de potencia, eficiencias más altas y unos circuitos más compactos y ligeros, aptos para su empleo en misiones críticas en el espacio.
Detalles en cada modelo
Para el EPC7018G, cuyas características podemos ver aquí, tenemos un voltaje de drenaje de la fuente de 100 V, un drenaje de la resistencia de la fuente de 6 mOhmios, corriente de drenaje de single-pulse de 345 A, un tamaño de encapsulado de 8×5,6 mm, y cuenta con clasificación de resistencia a las radiaciones de 1.000 krad.
Por la parte del EPC7007B, que podemos ver aquí, tenemos un voltaje de drenaje de la fuente de 200 V, un drenaje de la resistencia de la fuente de 28 mOhmios, corriente de drenaje de single-pulse de 80 A, un tamaño de encapsulado de 5,7×3,9 mm, y cuenta con clasificación de resistencia a las radiaciones de 1.000 krad, idéntica a la del modelo anterior.
Ambos modelos ya se encuentran disponibles.
