Este diseño de referencia de adaptador GaN USB-C PD de 65 W ofrece una densidad de potencia de 30 W por pulgada cúbica y una eficiencia del 94,5 por ciento.
Transphorm, proveedor de productos de conversión de energía de nitruro de galio (GaN), y Silanna Semiconductor anuncian un diseño de referencia de adaptador de potencia GaN que resulta ideal para alimentar ordenadores portátiles, tabletas, teléfonos móviles y dispositivos IoT.
La solución es un cargador USB-C Power Delivery (PD) de 65 W open frame que combina la plataforma SuperGaN Gen IV de Transphorm con el controlador PWM Active Clamp Flyback (ACF) de Silanna Semiconductor. Alcanza una densidad de potencia de 30 W por púlgada cúbica.
Este nivel de rendimiento, este nuevo diseño de referencia de adaptador GaN USB-C PD de 65 W “supera al de otras alternativas disponibles que usan MOSFET superjunction de silicio o transistores GaN e-mode”. Además, se utiliza un FET SuperGaN de menores dimensiones de Transphorm: el TP65H300G4LSG de 650 V y 240 mΩ en un encapsulado PQFN88 estándar.
El FET GaN también ofrece la elevada fiabilidad de los productos de Transphorm. Y, a diferencia de los dispositivos e-mode, la circuitería externa de protección, como carriles bias adicionales y level shifters, ya no resulta necesaria. Esto se traduce en una mejora en la eficiencia (94,5 por ciento).
El SZ1130 de Silanna Semiconductor es el primer controlador PWM ACF en integrar un controlador PWM digital adaptable, un Active Clamp FET, un Active Clamp Gate Driver y un regulador UHV Startup.
Como una solución ACF, el SZ1130 ofrece un diseño sencillo en el área de PCB más compacta entre todos los controladores ACF del mercado.
