Infineon Technologies amplía la completa cartera SiC presentando la quinta generación de diodos Schottky SiC THINQ! de 1200 V.
Los nuevos diodos SiC de 1200 V cuentan con una ultra-baja tensión directa incluso a temperaturas de funcionamiento mayores que el 100 por cien de aumento de la capacidad de corriente mejorada y un excelente comportamiento térmico.
Estas características dan lugar a mejoras de eficiencia significativas y un funcionamiento robusto en inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), SMPS (sistemas de alimentación de interruptor) de 3 fases y las unidades de motor.
La quinta generación de diodos Schottky SiC utiliza un nuevo diseño de chip compacto, realizado para una ingeniería combinada y unida en el campo de las células Schottky.
Esto permite una resistencia diferencial más pequeña por área de chip. Como resultado, se puede lograr una reducción de las pérdidas de diodo de hasta un 30 por ciento en comparación con la generación anterior; por ejemplo en una etapa de refuerzo del front-end para un inversor solar de 3 etapas que opera a 20 kHz con carga completa.
Aplicaciones para los nuevos diodos Schottky SiC
A una temperatura de unión de 150 °C, la tensión directa típica es sólo de 1,7 V, que es un 30 por ciento menor en comparación con la generación anterior. Esto representa la tensión directa más baja disponible en el mercado para los diodos SiC de 1200 V. Por lo tanto, los nuevos diodos Schottky SiC son especialmente adecuados para aplicaciones que funcionan a una relativa alta carga como los sistemas UPS. Por otra parte, la eficiencia del sistema se mejora incluso bajo las bajas frecuencias de conmutación.
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