Linear Technology Corporation presenta el LTC4282, un controlador Hot Swap para supervisión energética con drive MOSFET dual para habilitar diseños de placas de 100 A y de corrientes más altas.
El LTC4282 garantiza una inserción y extracción segura de backplanes (railes comunes en sistemas de potencia distribuida) de 2,9 V a 33 V al controlar MOSFETs de canal N externos para encender poco a poco los condensadores, evitando chispas, daños en el conector y fallos en el sistema.
Las placas de alta corriente y conexión en caliente utilizan MOSFETs paralelos para reducir la caída de tensión, pero todos estos MOSFETs requieren un área operativa segura y amplia (SOA por sus siglas en inglés) para resistir posibles daños por sobre-corrientes. Se puede permitir un mayor ahorro en los costes con una configuración de arranque gradual que emplea un MOSFET de SOA bajo en una pista y un MOSFET de baja RDS(ON) en la otra.
El controlador Hot Swap para supervisión energética LTC4282, indicado para temperaturas comerciales de entre 0 °C y 70 °C y temperaturas industriales de entre -40 °C y 85 °C, proporciona una solución compacta y resistente para la supervisión y la conexión/desconexión en caliente, especialmente en placas de circuitos de alta potencia usadas en servidores, enrutadores de red e interruptores, así como sistemas de datos empresariales.
Propiedades del controlador Hot Swap para supervisión energética
Situado a las puertas del cuadro de potencia, el ADC (Convertidor Analógico Digital) con una precisión del ±0,7% informa sobre el voltaje de la placa, la corriente, el consumo de potencia y energía a través de un interfaz digital I2C/SMBus. En condiciones de sobre-corriente, este controlador Hot Swap para supervisión energética reduce su límite de corriente preciso del 2% de manera progresiva para mantener una disipación de potencia MOSFET constante durante un periodo de tiempo ajustable. El límite de corriente puede ser configurado digitalmente, permite una adaptación dinámica con cambios de carga y facilita la selección de resistencias de valores bajos. Los valores máximos y mínimos de los parámetros eléctricos son grabados con alertas cuando sobrepasan los umbrales de 8 bit.
Un EEPROM interno proporciona almacenamiento no volátil para la configuración de registros y datos del registro de fallos. Para prevenir un daño crítico en la placa, se controla a los MOSFETs constantemente comprobando que no se producen condiciones no deseadas como voltaje de baja entrada, cortocircuito de drenador a surtidor o una gran caída de tensión.
