Toshiba Electronics Europe ha anunciado el desarrollo de una nueva generación de circuitos integrados de conmutación con proceso optimizado TarfSOI (SOI RF de Toshiba avanzado) para aplicaciones de conmutación de Radio Frecuencia.
Estos nuevos circuitos integrados de conmutación RF, fabricados utilizando el nuevo proceso TaRF8 como el nuevo proceso SP12T alcanzando la pérdida de inserción más baja de su clase en la industria.
Diseñados para su uso en teléfonos inteligentes, el conmutador RF SP12T cuenta con un controlador MIPI-RFFE integrado para aplicaciones móviles. El dispositivo es adecuado para su uso en dispositivos compatibles con los estándares 3GPP GSM, UMTS, W-CDMA, LTE y LTE-Advanced.
Los circuitos integrados de conmutación que utilizan el nuevo proceso TaRF8 SOI CMOS front-end, alcanzan la pérdida de inserción más baja de su clase en la industria, 0,32 dB a 2,7 GHz. En comparación con productos utilizando el proceso de corriente TaRF6 de Toshiba, la pérdida de inserción mejora 0,1 dB mientras que mantiene el mismo nivel de características de distorsión.
Usos para los nuevos circuitos integrados de conmutación
Con la tendencia hacia la alta velocidad de datos en las comunicaciones móviles, las transferencias de datos de alta capacidad, circuitos integrados de conmutación RF utilizados en dispositivos móviles y teléfonos inteligentes, requieren soporte multi-puerto y rendimiento mejorado RF. La reducción de la pérdida de inserción está reconocida como un factor particularmente importante en esto, ya que disminuye la pérdida de potencia de transmisión RF, que puede soportar una mayor duración de batería para dispositivos móviles.
Toshiba está desarrollando circuitos integrados conmutadores de RF de alto rendimiento que utilizan fabricación in-house para aplicar la tecnología SOI CMOS, que es adecuada para la integración de circuitos analógicos y digitales.
Al manejar todos los aspectos del flujo de producción, desde el desarrollo de la tecnología de proceso RF hasta el diseño y fabricación de los chips de conmutación RF, el fabricante puede mejorar rápidamente la tecnología de proceso SOI CMOS en respuesta a la respuesta de los resultados de desarrollo de sus propios conmutadores de RF.
